[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置。所述显示面板包括有源层、绝缘层、源极、漏极、栅极以及像素电极。所述源极、漏极和栅极同层设于所述绝缘层上，所述像素电极设于所述源极、漏极和栅极远离所述绝缘层的一表面上。

技术领域

本发明涉及显示设备领域，特别是一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

OELD(Organic Electroluminesence Display，有机电致发光显示)，又称为OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示装置，其具有能耗低、亮度高、反应时间快、宽视角、重量轻等优点，近来已普遍应用于各种显示设备中。

由于OLED在显示的色域、色深、对比度和响应速度等方面都优于LCD(LiquidCrystal Display，液晶显示器)，而且最近已经有公司使用蒸镀WOLED(White OLED，白光OLED)技术量产了大尺寸屏幕，但是由于OLED制作工艺较LCD要复杂很多，OLED膜层更多，良品率提升难度较大，要将这些膜层的图形化也需要更多的光罩。

在现有技术中的顶栅顶发射OLED显示面板中，其通常需要10道左右的光罩才能从基板制作到PDL(Pixel Definition Layer，像素限定层)，不仅制作难度极大，而且每一道光罩制程的成本价格都非常昂贵，所以OLED显示器的制作成本居高不下。

发明内容

本发明的目的是提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，也解决现有技术中顶栅顶发射结构的显示面板结构复杂、制程繁琐、成本高昂、良品率低等问题。

为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，所述显示面板包括有源层、绝缘层、源极、漏极、栅极以及像素电极。其中，所述绝缘层设于所述有源层上。所述源极、漏极和栅极同层设于所述绝缘层上，所述栅极对应于所述有源层，所述源极、漏极分别穿过所述绝缘层连接至所述有源层的两端。所述像素电极设于所述源极、漏极和栅极远离所述绝缘层的一表面上。

进一步地，所述显示面板中还包括像素限定层以及发光层。所述像素限定层覆于所述像素电极和所述绝缘层上。所述像素限定层中具有开口，所述像素电极部分裸露于所述开口中。所述发光层设于所述开口内的所述像素电极上。

进一步地，所述显示面板中还包括封装层，其覆于所述发光层和所述像素限定层上。

进一步地，所述显示面板中还包括缓冲层、基板以及遮光层。所述缓冲层设于所述有源层远离所述绝缘层的一表面上。所述基板设于所述缓冲层远离所述有源层的一表面上。所述遮光层设于所述缓冲层和所述基板之间，并对应于所述有源层。

本发明中还提供一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板。在所述基板上形成有源层。在所述有源层上形成所述绝缘层。在所述缓冲层上形成源极、漏极、栅极以及像素电极。

进一步地，在所述显示面板的制备方法中还包括以下步骤：在所述像素电极和所述绝缘层上形成像素限定层。在所述像素限定层内形成开口。在所述开口内形成发光层。

进一步地，在所述显示面板的制备方法中还包括以下步骤：

在所述发光层和所述像素限定层上形成封装层。

进一步地，在提供一基板步骤后还包括一下步骤：在所述基板上形成遮光层。在所述遮光层上形成缓冲层。

进一步地，在所述缓冲层上形成源极、漏极、栅极以及像素电极步骤中包括以下步骤：在所述绝缘层上沉积一金属材料层。在所述金属材料层上沉积一导电材料层。通过光刻法同时将所述金属材料层和所述导电材料层图案化，形成所述源极、漏极、栅极以及像素电极。

本发明中还提供一种显示装置，其包括如上所述的显示面板。