[发明专利]一种压接式功率模块检测系统及检测方法有效

专利信息
申请号: 201911069036.4 申请日: 2019-11-05
公开(公告)号: CN112782552B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 刘洋;敖日格力;叶怀宇;张国旗 申请(专利权)人: 深圳第三代半导体研究院
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 代理人: 彭随丽
地址: 518000 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 压接式 功率 模块 检测 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种压接式功率模块检测系统,其特征在于,包括:压接式功率模块,电源单元,信号采集单元,控制单元,驱动单元,动作单元;所述压接式功率模块包括至少一层功率模块层,所述功率模块层包括n*m个子单元芯片,n个用于连接每行子单元芯片栅极的信号传输条,所述信号传输条包括m层堆叠集成的信号传输子条,每个信号传输子条用于传输一个子单元芯片的信号;

各层信号传输子条的芯片栅极信号相连处和外接测试端的覆铜面依次漏出。

2.根据权利要求1所述的压接式功率模块检测系统,其特征在于,所述控制单元用于对指定子单元芯片栅极控制端口输出端发出控制信号;并根据信号采集单元采集的信号判断子单元芯片是否出现故障。

3.根据权利要求2所述的压接式功率模块检测系统,其特征在于,所述根据信号采集单元采集的信号判断子单元芯片是否出现故障为:采用驱动单元向指定子单元芯片输出至少两个不同的栅极驱动电压,判断子单元芯片电流是否受栅极控制变化,若变化,泽子单元芯片未短路,若不变化,则子单元芯片短路。

4.根据权利要求1所述的压接式功率模块检测系统,其特征在于,所述信号采集单元用于通过AD信号采集电压于电流信号;所述电源单元为电压电流源;所述子单元芯片包括功率芯片及FRD芯片,所述功率芯片包括MOSFET芯片或IGBT芯片。

5.根据权利要求1所述的压接式功率模块检测系统,其特征在于,所述动作单元包括电机,所述电机在控制单元的控制下移除故障子单元芯片。

6.一种采用如权利要求1-5之一所述的压接式功率模块检测系统的压接式功率模块检测方法,其特征在于,包括:S1:采用控制单元控制驱动单元向指定至少一个子单元芯片Cxy输出第一驱动电压VC1;采集子单元芯片在第一驱动电压VC1下的的第一采集电压值V1和第一采集电流值I1;1xn,1ym;S2:采用控制单元控制驱动单元向指定子单元芯片输出与第一驱动电压VC1的电压值不同的第二驱动电压VC2;采集子单元芯片Cxy在第一驱动电压VC2下的的第二采集电压值V2和第二采集电流值I2;S3:比较第一采集电压值V1与第二采集电压值V2,以及第一采集电流值I1与第二采集电流值I2,判断子单元芯片Cxy是否出现故障。

7.根据权利要求6所述的压接式功率模块检测方法,其特征在于,所述S3判断子单元芯片Cxy是否出现故障为:若第一采集电压值V1与第二采集电压值V2相等则子单元芯片短路。

8.根据权利要求6所述的压接式功率模块检测方法,其特征在于,所述检测方法还包括S4:若子单元芯片Cxy出现故障,采用控制单元控制动作单元移除出现故障子单元芯片Cxy。

9.根据权利要求6所述的压接式功率模块检测方法,其特征在于,所述S3包括:采用T个不相同的驱动电压VCj重复S2T次,对应采集T个第j采集电压值Vj和第j采集电流值Ij,1jT,比较任意两个第j采集电压值Vj和任意两个第j采集电流值Ij。

10.根据权利要求9所述的压接式功率模块检测方法,其特征在于,所述T个不相同的驱动电压VCj步长范围为0.5-5V,所述采集T个第j采集电压值Vj和第j采集电流值Ij的时间间隔范围为20ns-200us。

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