[发明专利]一种像素结构及其渲染方法、显示装置在审
| 申请号: | 201911058249.7 | 申请日: | 2019-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN110690266A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
| 发明(设计)人: | 晏细兰;石坤泉 | 申请(专利权)人: | 广州番禺职业技术学院 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/20 |
| 代理公司: | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郭浩辉;麦小婵 |
| 地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 子像素 交替排列 像素结构 循环周期 子像素列 列方向 像素 产品寿命 高分辨率 几何中心 亮度水平 位置互换 显示装置 中心连线 开口率 奇偶 渲染 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;
所述第一子像素在行方向上排列成第一子像素行,所述第二子像素和所述第三子像素在行方向上交替排列,所述第一子像素行与所述第二子像素和所述第三子像素形成的行交替排列;
所述第一子像素在列方向上排列成第一子像素列,所述第二子像素和所述第三子像素在列方向上交替排列,所述第二子像素和所述第三子像素形成的列与所述第一子像素列按照一比二的数量交替排列;所述第二子像素或所述第三子像素的几何中心处于与其相邻的任意两个所述第一子像素的中心连线的中线上;
四个所述第一子像素和一个所述第二子像素和一个所述第三子像素组成的一个最小子像素循环周期单元,且在行方向上,奇偶最小子像素循环周期中,第二子像素和第三子像素的位置互换。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,连续行、连续列的所述第二子像素的几何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向排成一斜线;连续行、连续列的所述第三子像素的几何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向排成一斜线;所述连续行、连续列的所述第二子像素的几何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向排成的斜线和所述连续行、连续列的所述第三子像素的几何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向排成的斜线按照斜线的垂直方向交替排列。
3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,连续行、连续列的所述第一子像素的几何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向排成一斜线;
其中,所述第一子像素所形成斜线的斜向方向为行方向或列方向顺时针旋转45度或者逆时针旋转45度的方向;所述第二子像素或第三子像素所形成斜线的斜向方向为行方向或列方向顺时针旋转26.57度或者逆时针旋转26.57度的方向。
4.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,连续行、连续列的所述第一子像素的几何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向上,对称分布在所述连续行、连续列的所述第二子像素或所述第三子像素的几何中心在不同于行方向或列方向的斜向方向排成的斜线的两侧。
5.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的形状为圆形、三角形、四边形、五边形、六边形或八边形中的任意一种。
6.如权利要求5所述的像素结构,其特征在于,所述第一子像素为90°旋转的等腰三角形;所述第二子像素与所述第三子像素均为菱形;所述第一子像素的角边平行用于所述第二子像素和所述第三子像素,且相邻列的两个所述第一子像素互为镜像对称。
7.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第二子像素的面积和所述第三子像素的面积相等,所述第一子像素的面积为所述第二子像素的面积的四分之一。
8.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素在总体数量上的比例为4:1:1。
9.一种如权利要求1至8任一所述的像素结构的渲染方法,其特征在于,步骤包括:
从像素显示信息数据中获取各所述像素单元中所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的显示颜色对应的颜色的理论亮度值;
计算得到所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素的实际亮度值;其中,所述第一子像素的实际亮度值设置为与其显示颜色对应的颜色的理论亮度值;所述第二子像素或所述第三子像素的实际亮度值为理论像素单元中的四个所述第一子像素对应位置的理论亮度值的加权和;所述理论像素单元,由一个所述第二子像素或一个所述第三子像素与四个所述第一子像素构成;所述加权系数为四分之一;
向所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素输入实际亮度值以实现图像显示。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至8任一所述的像素结构;所述显示装置为有机发光二极管显示装置或液晶显示装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





