[发明专利]一种单晶硅片背面减薄用砂轮及其制备方法

权利要求书

1.一种硅片背面减薄砂轮的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

SS1.将正硅酸乙酯、无水乙醇、去离子水在容器中水解，形成氧化硅水溶胶，其中，以体积计，正硅酸乙酯的体积分数为50-60％、无水乙醇的体积分数为26-35％、去离子水的体积分数为15-25％，各组分用量百分数之和等于100％；

SS2.将硝酸钠、硝酸钙、硝酸镁、硝酸锂、硝酸铝、硼酸溶解于水中，搅拌均匀后形成盐溶液，其中，以质量计，硝酸钠8-15％、硝酸钙9-16％、硝酸镁12-18％、硝酸锂12-20％、硝酸铝29-38％、硼酸8-15％；

SS3.将步骤SS1制备的氧化硅水溶胶加入到步骤SS2制备的盐溶液中，搅拌均匀得氧化硅水溶胶与盐溶液的混合溶液；

SS4.将磨料、分散剂加入到步骤SS3制备的混合溶液中，超声分散均匀，形成悬浮液，其中，以质量计，磨料3-8％、分散剂1-6％、盐溶液75-85％、氧化硅水溶胶8-15％，所述磨料为普通金刚石、含硼金刚石、碳化硅、立方碳化硅中的任一种或几种，所述磨料的粒度为0.1-10μm；

SS5.将单体、交联剂、引发剂分别加入到步骤SS4制备的悬浮液中形成凝胶，其中，以质量计，单体6-12％、交联剂1-4％、引发剂0.2-1.2％、悬浮液86-95％，各组分用量百分数之和等于100％；所述单体为丙烯酰胺、交联剂为N,N-亚甲基双丙烯酰胺、引发剂为过硫酸铵；

SS6.将步骤SS5制备的凝胶在一定的温度下干燥，形成干凝胶，其中，凝胶的干燥温度120-180℃，干燥时间5-8h；

SS7.将步骤SS6制备的干凝胶在580-630℃的温度下煅烧3-8h，形成含磨料及结合剂且结合剂包覆磨料的混合陶瓷粉体；

SS8.将步骤SS7制备的陶瓷粉体分别加入造孔剂、润湿剂，得到成型料，其中，以质量计，成型料的各成分如下：含磨料及结合剂的混合陶瓷粉体80-90％、造孔剂2-8％、润湿剂8-10％，各组分用量百分数之和等于100％，所述造孔剂为树脂粉、树脂空心球、精萘或糊精粉，所述润湿剂为石蜡、糊精液、聚乙烯醇溶液或水玻璃液；

SS9.将步骤SS8制备的成型料冷压成型后，在650-750℃的温度下烧结2-6h，形成具有一定形状的块体；

SS10.将步骤SS9烧结的块体进行精加工，制成所需尺寸的砂轮块体；

SS11.将步骤SS10的砂轮块粘结在基体上，制备成砂轮；

SS12.将步骤SS11制备的砂轮进行精加工后得到成品。

2.一种硅片背面减薄砂轮，所述砂轮根据权利要求1所述的方法制备得到。