[发明专利]晶片封装体的制造方法及晶片封装体有效
| 申请号: | 201911045389.0 | 申请日: | 2019-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN111146083B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
| 发明(设计)人: | 林佳升;吴晖贤;陈建宏;刘沧宇;陈瑰玮 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 封装 制造 方法 | ||
本发明提供一种晶片封装体的制造方法及晶片封装体,该方法包含:图案化晶圆以形成切割道,其中晶圆下方的透光功能层位于切割道中,透光功能层位于晶圆与载体之间,晶圆具有朝向切割道的外壁面,且外壁面与晶圆朝向透光功能层的表面之间具有第一夹角;沿切割道切割透光功能层与载体,以形成晶片封装体,其中晶片封装体包含晶片、透光功能层与载体;以及图案化晶片以形成定义感测区的开口,其中透光功能层位于开口中,晶片具有围绕开口的内壁面及背对内壁面的外壁面,内壁面与晶片朝向透光功能层的表面之间具有第二夹角,且第一夹角与第二夹角不同。此制造方法可避免晶片的感测区在执行切割制程时受到损伤,且可应用在不同种类的光学感测器。
技术领域
本发明有关于一种晶片封装体的制造方法,及一种晶片封装体。
背景技术
一般而言,用于感测光线的晶片封装体在制造时,可先将晶圆与功能层接合于载体上,接着对晶圆施以蚀刻制程,使晶圆可同时形成感测区的开口与用于后续切割制程的切割道。在后续制程中,可将开口中晶圆的绝缘层去除而裸露出功能层,接着执行沿切割道切割功能层与载体的步骤,以形成晶片封装体。
然而,由于切割功能层与载体时,感测区易受到损伤,例如污染,使产品良率难以提升。此外,晶圆因在蚀刻制程同时形成感测区的开口与切割道,因此晶圆朝向感测区开口的内壁面与朝向切割道的外壁面具有大致相同的倾斜角度。如此一来,上述的晶片封装体将无法应用在不同种类的光学感测器。
发明内容
本发明的一技术态样为一种晶片封装体的制造方法。
根据本发明一实施方式,一种晶片封装体的制造方法包含:图案化晶圆以形成切割道,其中晶圆下方的透光功能层位于切割道中,透光功能层位于晶圆与载体之间,晶圆具有朝向切割道的外壁面,且外壁面与晶圆朝向透光功能层的表面之间具有第一夹角;沿切割道切割透光功能层与载体,以形成晶片封装体,其中晶片封装体包含晶片、透光功能层与载体;以及图案化晶片以形成定义感测区的开口,其中透光功能层位于开口中,晶片具有围绕开口的内壁面及背对内壁面的外壁面,内壁面与晶片朝向透光功能层的表面之间具有第二夹角,且第一夹角与第二夹角不同。
在本发明一实施方式中,上述晶片封装体的制造方法还包含:研磨晶圆背对透光功能层的表面。
在本发明一实施方式中,上述晶片封装体的制造方法还包含:形成支撑件于载体上或透光功能层上;以及接合载体与透光功能层,使得支撑件位于载体与透光功能层之间。
在本发明一实施方式中,上述沿切割道切割透光功能层与载体包含:以刀具切割透光功能层与载体的一部分,而形成凹槽;以及沿此凹槽以激光切割载体的另一部分。
在本发明一实施方式中,上述沿切割道切割透光功能层与载体包含:以第一激光切割透光功能层,而形成凹槽;以及沿凹槽以第二激光切割载体。
在本发明一实施方式中,上述沿切割道切割透光功能层与载体包含:以刀具切割透光功能层的一部分,而形成凹槽;以及沿此凹槽以激光切割该透光功能层的另一部分与载体。
在本发明一实施方式中,上述沿切割道切割透光功能层与载体是通过刀具切割或激光切割。
在本发明一实施方式中,上述晶片具有位于透光功能层上的第一绝缘层与第二绝缘层,第二绝缘层位于透光功能层与第一绝缘层之间,晶片封装体的制造方法还包含蚀刻开口中的第一绝缘层与蚀刻覆盖晶片的导电垫的第一绝缘层,使开口中的第二绝缘层裸露与导电垫裸露。
本发明的一技术态样为一种晶片封装体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精材科技股份有限公司,未经精材科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911045389.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





