[发明专利]一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物

说明书

本发明涉及一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物，包括环化聚异戊二烯：重均分子量范围为20W~30W，分子量分布Mw/Mn范围为1.0～2.0，环化率55%~85%；环化聚丁二烯：重均分子量范围为2W~4W，分子量分布Mw/Mn范围为1.2～2.4，环化率60%~80%；光敏剂：所述光敏剂为2，6‑二[（4‑叠氮基苯基）亚甲基]‑4‑甲基‑环己酮；偶联剂。该组合物有效保护台面芯片各个位置的衬底，不出现腐蚀钻蚀问题且不出现浮胶、显影不净等质量异常问题。

技术领域

本发明涉及一种组合物，尤其涉及一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物。

背景技术

环化橡胶——双叠氮负性光刻胶因具有优秀的透光性、粘合性、抗酸抗碱性、柔顺性等特性，在分立器件及功率器件芯片的生产中，仍具有不可替代的作用。特别是在台面功率芯片的制造中，因环化橡胶——双叠氮负性光刻胶的优秀的耐蚀刻性能，可以达成100um-150um的器件深槽腐蚀的要求。

但目前市场使用的环化橡胶——双叠氮负性光刻胶，因涂布后在台面管芯的不同位置的胶膜厚度均匀性差异过大，对台面形成后的芯片保护效果不佳，导致台面涂布时，台面边界位置的光刻胶厚度过薄，难以抵挡蚀刻液的侵蚀，导致衬底氧化层缺损，甚至蚀穿氧化层，引起保护环位置出现镀金现象，影响产品外观，严重时氧化层被穿透，导致芯片打火击穿，可靠性差。即使调整涂胶程序，也不能兼顾台面各个位置的厚度均达到合适水平，过低的涂胶转速还可能导致显影时胶膜溶胀严重，出现浮胶、钻蚀等现象。

因高台面导致的涂布均匀性差，衬底保护不良等问题是目前台面芯片制程面临的主要问题之一。

发明内容

本发明为了提高光刻胶组合物在台面芯片上的涂布均匀性，提供了一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物，即一种新的环化橡胶——双叠氮负性光刻胶组合物，该组合物在有效保护台面芯片各个位置的衬底，不出现腐蚀钻蚀问题的前提下，兼容现有的芯片生产工艺制程，不出现浮胶、显影不净等质量异常，解决台面器件因腐蚀导致的外观不良和电性异常问题。

本发明所采取的技术方案为：一种用于台面器件的高涂布均匀性负性光刻胶组合物，包括

环化聚异戊二烯：重均分子量范围为20W~30W，分子量分布Mw/Mn范围为1.0～2.0，环化率55%~85%；

环化聚丁二烯：重均分子量范围为2W~4W，分子量分布Mw/Mn范围为1.2～2.4，环化率60%~80%；

光敏剂：所述光敏剂为2，6-二[（4-叠氮基苯基）亚甲基]-4-甲基-环己酮

偶联剂。

进一步的，所述环化聚异戊二烯重均分子量范围为20W~30W，分子量分布Mw/Mn范围为1.0～1.5。

进一步的，所述环化聚异戊二烯的环化率为65%~80%。

进一步的，所述环化聚异戊二烯在组合物中的质量浓度范围为10～30%。

进一步的，所述的环化聚丁二烯，重均分子量为3.2~3.8W，分子量分布Mw/Mn范围为1.2～2.4。

进一步的，所述环化聚丁二烯环化率为70%~75%。

进一步的，所述环化聚丁二烯在组合物中的质量分数范围2～6%。

进一步的，所述光敏剂在组合物中的质量分数为0.2～0.6%。

进一步的，所述偶联剂包括但不限于氨丙基三乙氧基硅烷，缩水甘油迷氧基丙基三甲氧基硅烷，甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷，乙烯基三乙氧基硅烷，乙烯基三乙氧基硅烷，乙二胺丙基三乙氧基硅烷，乙二胺丙基甲基二甲氧基硅烷中的一种或几种的组合物。