[发明专利]光刻机剂量均匀性的测量方法有效

专利信息
申请号: 201911039601.2 申请日: 2019-10-29
公开(公告)号: CN112731768B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 刘泽华;陈震东 申请(专利权)人: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 光刻 剂量 均匀 测量方法
【权利要求书】:

1.一种光刻机剂量均匀性的测量方法,其特征在于,包括:

上载待曝光掩模版,所述待曝光掩模版包括监控标记;

采用所述待曝光掩模版进行焦面-剂量矩阵曝光,获取不同焦距和曝光剂量下所述监控标记的套刻误差;

确定所述焦距、所述曝光剂量与所述套刻误差之间的关系矩阵;

根据所述关系矩阵确定曝光剂量作用区间;

采用所述曝光剂量作用区间内的任意曝光剂量对所述待曝光掩模版进行焦距矩阵曝光;

获取所述监控标记的实际套刻误差;

根据所述关系矩阵以及所述实际套刻误差确定曝光场内各点的实际曝光剂量,以得到光刻机的剂量均匀性。

2.根据权利要求1所述的光刻机剂量均匀性的测量方法,其特征在于,所述确定所述焦距、所述曝光剂量与所述套刻误差之间的关系矩阵包括:

计算各所述曝光剂量下,所述套刻误差与所述焦距的比值;

建立所述比值与所述曝光剂量的关系。

3.根据权利要求2所述的光刻机剂量均匀性的测量方法,其特征在于,建立所述比值与所述曝光剂量的关系包括:

通过线性拟合、二次项拟合或指数拟合,确定所述比值与所述曝光剂量的关系。

4.根据权利要求1所述的光刻机剂量均匀性的测量方法,其特征在于,所述监控标记包括至少一个重复单元;

所述重复单元包括沿第一方向延伸、沿第二方向排列的第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域,所述第一方向与所述第二方向相交;

其中,所述第一区域为透光区域,所述第三区域为透光相转变区域,所述第二区域与所述第四区域均为遮光区域。

5.根据权利要求4所述的光刻机剂量均匀性的测量方法,其特征在于,所述监控标记包括首尾依次连接的第一侧边、第二侧边、第三侧边以及第四侧边;所述第一侧边与所述第三侧边相对设置,且均平行于所述第一方向;所述第二侧边与所述第四侧边相对设置,且均平行于所述第二方向。

6.根据权利要求4所述的光刻机剂量均匀性的测量方法,其特征在于,所述监控标记包括首尾依次连接的第一侧边、第二侧边、第三侧边以及第四侧边;所述第一侧边与所述第三侧边相对设置,且均与所述第一方向相交;所述第二侧边与所述第四侧边相对设置,且均与所述第二方向相交。

7.根据权利要求5或6所述的光刻机剂量均匀性的测量方法,其特征在于,所述第一侧边的长度与所述第二侧边的长度相等,所述第一侧边的延伸方向与所述第二侧边的延伸方向相互垂直。

8.根据权利要求4所述的光刻机剂量均匀性的测量方法,其特征在于,沿所述第二方向,所述第一区域的宽度、所述第二区域的宽度、所述第三区域的宽度以及所述第四区域的宽度均相同。

9.根据权利要求4所述的光刻机剂量均匀性的测量方法,其特征在于,所述至少一个重复单元包括至少两类重复单元;不同类所述重复单元中的所述第一方向的指向不同。

10.根据权利要求1所述的光刻机剂量均匀性的测量方法,其特征在于,所述待曝光掩模版还包括待曝光图形,所述监控标记与所述待曝光图形不交叠。

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