[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号: | 201911038883.4 | 申请日: | 2019-10-29 |
| 公开(公告)号: | CN110690265B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
| 发明(设计)人: | 董甜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
一种显示基板及其制作方法、显示装置,该显示基板包括:基底以及设置在基底上的多个子像素、多列电源线以及数据线,每个子像素包括:驱动电路;驱动电路包括:晶体管和电容;电容包括:相对设置的第一极板和第二极板;晶体管的有源层位于电容的第二极板靠近基底的一侧,电源线位于电容的第二极板远离基底的一侧;对于每个子像素,电源线分别与电容的第二极板和晶体管的有源层连接,每个子像素的电容的第二极板与位于同一行的一个相邻子像素的电容的第二极板连接,每个子像素的晶体管的有源层与位于同一行的另一相邻子像素的晶体管的有源层连接。本申请提供的技术方案能够降低数据线的负载,进而降低显示基板的功耗并缩短数据信号的写入时间。
技术领域
本文涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Device,简称OLED)显示基板,是一种与传统的液晶显示(Liquid Crystal Display,简称LCD)不同的显示基板,具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点。因此已经成为新一代显示装置的重要发展发现之一,并且受到越来越多的关注。
为了实现OLED显示基板的高频驱动,相关技术中提出了一种双数据线的OLED显示基板,即同一列子像素与两条数据线连接。然而由于相关技术中的OLED显示基板中分别与电源线和同一行子像素连接的电源连接线与数据线的距离较近,使得数据线的负载较大,进而导致OLED显示基板的功耗较大以及数据线提供的数据信号写入时间较长。
发明内容
本申请提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置,降低了数据线的负载,进而降低了显示基板的功耗并缩短了数据信号的写入时间。
第一方面,本申请提供了一种显示基板,包括:基底以及设置在所述基底上的多个子像素、多列电源线以及与电源线同层设置的数据线,每个子像素包括:驱动电路;所述驱动电路包括:晶体管和电容;所述电容包括:相对设置的第一极板和第二极板;所述晶体管的有源层位于所述电容的第二极板靠近基底的一侧,所述电源线位于所述电容的第二极板远离基底的一侧;
对于每个子像素,所述电源线分别与电容的第二极板和晶体管的有源层连接,每个子像素的电容的第二极板与位于同一行的一个相邻子像素的电容的第二极板连接,每个子像素的晶体管的有源层与位于同一行的另一相邻子像素的晶体管的有源层连接。
可选地,位于同一列的相邻子像素中晶体管的有源层相互连接。
可选地,位于同一行的相邻子像素的像素结构相互对称,位于第i行第j列的子像素的像素结构与位于第i+1行第j+1列的子像素的像素结构相同。
可选地,每个像素包括:四个子像素,所述像素包括:第一像素和第二像素;
在所述第一像素中,第i子像素中电容的第二极板与第i+1子像素中电容的第二极板连接,第二子像素中晶体管的有源层与第三子像素中晶体管的有源层连接;
在所述第二像素中,第二子像素中电容的第二极板与第三子像素中电容的第二极板连接,第i子像素中晶体管的有源层与第i+1子像素中晶体管的有源层连接,i为小于4的奇数。
可选地,所述显示基板还包括:设置在基底上的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、栅线、复位信号线、发光控制信号线和初始信号线;
所述栅线、复位信号线、发光控制信号线、电容的第一极板和晶体管的栅电极同层设置,所述电容的第二极板和初始信号线同层设置,所述数据线、电源线和晶体管的源漏电极同层设置;
所述第一绝缘层设置在晶体管的有源层和所述晶体管的栅电极之间,所述第二绝缘层设置在所述晶体管的栅电极和所述电容的第二极板之间,所述第三绝缘层设置在所述电容的第二极板和所述数据线之间。
可选地,所述第三绝缘层上设置有第一过孔;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





