[发明专利]一种微井结构SPRi芯片的制备方法及其产品和应用

权利要求书

1.一种微井结构SPRi芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)在金膜芯片上生长厚度为15～100nm的聚多巴胺薄膜，得到聚多巴胺修饰的连续金膜芯片，所述金膜芯片由覆盖在光学玻璃表面的厚度为45～55nm的连续平整金膜组成；

(2)在步骤(1)中得到的聚多巴胺修饰的连续金膜芯片上放置光掩模，在紫外光条件下照射10～120min，依次用酒精和二次水充分冲洗，氮气吹干，即可得到一种微井结构SPRi芯片。

2.根据权利要求1所述一种微井结构SPRi芯片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述生长的具体方法为：

(1)将洁净的金膜芯片浸没在含聚多巴胺的三羟-盐酸甲基氨基甲烷缓冲溶液中，从溶液中取出芯片，用二次水冲洗，氮气吹干；

(2)将步骤(1)中氮气吹干的金膜重复进行步骤(1)的操作，使金膜芯片上的聚多巴胺薄膜厚度达到15～100nm即可。

3.根据权利要求2所述一种微井结构SPRi芯片的制备方法，其特征在于，所述含聚多巴胺的三羟-盐酸甲基氨基甲烷缓冲溶液中聚多巴胺的浓度为：2mg/mL，所述含聚多巴胺的三羟-盐酸甲基氨基甲烷缓冲溶液的pH为8.5。

4.根据权利要求1所述一种微井结构SPRi芯片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述紫外光条件下照射的方法为：在配Hg-Xe l光源的紫外清洗仪中，设置功率110W、波长范围为185～254nm。

5.根据权利要求1～4任一项所述制备方法制备得到的一种微井结构SPRi芯片。

6.权利要求5所述一种微井结构SPRi芯片在SPRi免疫检测方面的应用。