[发明专利]一种去除Poly绕镀清洗方法

权利要求书

1.一种去除poly绕镀的清洗方法，其特征在于具体清洗工艺流程步骤为Poly生长→上料→正面刻蚀→碱洗→酸洗1→酸洗2→下料，其中从上料到下料工艺步骤都在链式机台上进行操作，且尤其涉及清洗工艺步骤如下：

1）正面刻蚀——采用HF/HNO₃ 药液低温刻蚀，温度控制在10-20℃，HF/HNO3/H2O体积比控制在1:10:13—1:12:15，时间为1-2 min；通过HNO₃的强氧化性在硅片表面生成氧化层，再通过HF的刻蚀作用将绕镀区域去除，且不损害B结；

2）碱洗——采用KOH/H₂O 药液质量配比控制在 1:15—1:20，时间为0.5-1min，可有效的中和刻蚀液的酸；

3）酸洗1——采用O₃/HF/HCl，有效的去除硅片表面的脏污，可得到较好的钝化效果，其中O3浓度控制在15-30ppm，HF/HCl体积比控制在1:1—2:5，时间为0.5-1min；

4）酸洗2——采用HF/HCl药液，其体积比控制在1:1—3:1，时间为1-2min，最后进行硅片表面的清洁及脱水烘干处理。