[发明专利]一种掩模优化方法及电子设备

说明书

本发明涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及保证掩模图像与通孔图像充分接触的掩模优化方法及电子设备。包括如下步骤：提供包括掩模图形和通孔的掩模版图，通孔对应成像为通孔图像，模拟与所述通孔图像对应的轮廓线模拟与通孔图像对应的轮廓线；得到通孔图像的虚拟轮廓线；在虚拟轮廓在线放置多个评价点；将评价点与掩模图形的小线段进行关联以获得关联小线段以及关联评价点；及根据关联评价点计算关联小线段的偏移修正值Δc以及根据光学临近效应获得关于每个关联小线段的偏移修正值Δe，选取Δc和Δe中数值较大者作为关联小线段的最终修正值，能很好的保证优化的效果，避免与通孔相联系的上下掩模层之间的导电性不充分甚至失联的风险。

【技术领域】

本发明涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及一种掩模优化方法及电子设备。

【背景技术】

光刻是集成电路制作的核心步骤，它的目的是将掩模上的图形通过光学成像系统转移到涂覆在硅基衬底的光刻胶并进一步转移到硅片上。转移到光刻胶上的图形被称作空间图像，即AI(Aeri al Im ag e)；转移到硅片上的图形被称作抗蚀剂图像，即RI(Re s ist Im ag e)。为使后文描述方便，现将这两种图像统一称作曝光图形。由于光学成像系统衍射效应的存在，高阶衍射光无法通过光刻投影物镜参与成像，因而曝光图形将产生变形，特别是当掩模图形特征尺寸很小的时候，曝光图形将无法分辨。这一现象被称为光学临近效应(Optic al Pro ximity E ffec t)。为提高成像分辨率和成像质量，可以通过对掩模图形进行优化实现对上述光学临近效应的校正，即O P C(Opti c al Pro ximity C orrection)。O P C一般分为两步：第一步是将掩模图形的所有边打断成一系列小线段，第二步对打断的线段进行偏移修正。主流的偏移的方法有两种：第一种方法是将打断的小线段按长度方向与邻近小线段的相对位置，相对方向等特征进行分类，建立偏移规则表，每类线段按此表定义的偏移规则进行偏移，这被称作基于规则的光学邻近效应修正(RB-O P C)；第二种方法是采用光刻成像模型计算出预测曝光图形，根据预测曝光图形与理想曝光图形的差别反演计算得到各个小线段的偏移值；反演过程迭代进行，直至预测曝光图形与理想曝光图形的差异足够小，这被称作基于模型的光学邻近效应修正(MB-O P C)。

上述的优化过程只在孤立的某一层进行。在设计多层掩模时，上下掩模层往往通过通孔互相连接。为此，在掩模优化过程中需要使掩模图像与通孔图像之间的接触面积足够大才能充分保证上下掩模层之间的导电性。

【发明内容】

为克服目前对掩模优化过程中存在掩模图像与通孔图像之间的接触面积小的技术问题，本发明提供一种保证掩模图像与通孔图像充分接触的掩模优化方法及电子设备。

本发明为了解决上述技术问题，提供一技术方案：提供一种掩模优化方法，其包括如下步骤：S 1、提供包括掩模图形和通孔的掩模版图，所述通孔对应成像为通孔图像，模拟与所述通孔图像对应的轮廓线；S 2、根据所述通孔图像的轮廓线得到通孔图像的虚拟轮廓线；S 3、在所述虚拟轮廓线放置多个评价点；S 4、获取掩模图形对应的小线段，将所述评价点与掩模图形的小线段进行关联以获得关联小线段以及关联评价点；及S 5、根据关联评价点与通孔图像轮廓线的距离计算关联小线段的偏移修正值Δc以及根据光学临近效应获得关于每个关联小线段的偏移修正值Δe,选取Δc和Δe中数值较大者作为关联小线段的最终修正值。

优选地，在所述步骤S 4中，通过如下方式获得关联评价点以及关联小线段：沿着每个评价点在虚拟轮廓线法线方向搜索掩模图形的小线段，若搜索到小线段，则将该评价点与该小线段关联起来，以获得关联评价点以及关联小线路；若未搜索到小线段，则丢弃该评价点。

优选地，掩模图形在光刻过程中对应成像为掩模图像，所述步骤S 2具体包括如下步骤：步骤S 21、计算获得所述通孔图像与掩模图像的交叠比，设定通孔图像与掩模图像的交叠比阈值；步骤S 22、根据交叠比阈值计算出通孔图像轮廓线能回退的截止位置；及步骤S 23、在所述截止位置上设置通孔图像虚拟轮廓线。