[发明专利]一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法在审
| 申请号: | 201911028123.5 | 申请日: | 2019-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN112736212A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
| 发明(设计)人: | 周淼;赵金阳 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄灵飞 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 纳米 粒子 图案 化装 方法 | ||
一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法,该装置包括相对设置的上绝缘基板和下绝缘基板,上绝缘基板靠近所述下绝缘基板一侧设有一图案化电极,下绝缘基板周围设有挡板以形成容置槽;通过图案化电极图案的设置,可以对同一种纳米材料形成的图案在交流电场的施加中一次成型,并且该图案化电极可根据实际需要设计并可重复利用,节约了制作成本,此外,本申请通过基于胶体纳米粒子分散体系中,纳米粒子在交流电场的作用下聚集在电极附近的方式,实现对特定图案一次成型的效果,并且,可以通过电极的二次对位,实现其它纳米粒子在同一基板上图案化,尤其是此种方式运用于量子点显示领域,非常适合量子点膜的大批量制作,也极大的降低了生产成本。
技术领域
本申请涉及图案化工艺相关技术领域,尤其涉及一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法。
背景技术
随着显示技术的发展,图案化的制作技术越来越受到人们的关注,目前的图案化技术主要为黄光制程及喷墨打印技术,其中,黄光制程的工艺步骤多并且繁杂,而喷墨打印在量产时对喷头数量和多次对位均有较高的要求,这些技术在同一基板的多次图案化的过程中都具有一定的局限性,尤其是在量子点显示领域,需要使量子点这一类纳米粒子材料图案化,并应用于QDCF、QD LGP、QLED、QD-OLED等技术中量产,则需要一种成本低廉、高效的将不同纳米粒子在同一基板上图案化的技术。
发明内容
本申请实施例提供一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法,以解决如何高效将不同纳米粒子在同一基板上图案化的问题。
本申请实施例提供了一种纳米粒子图案化装置,包括相对设置的上绝缘基板和下绝缘基板,所述上绝缘基板靠近所述下绝缘基板一侧设有一图案化电极,所述下绝缘基板周围设有挡板以形成容置槽。
根据本发明一优选实施例,所述图案化电极包括若干呈矩阵排布的子电极。
根据本发明一优选实施例,所述图案化电极的材料为ITO、石墨烯、金属或过渡金属硫属化合物。
根据本发明的上述目的,本申请实施例还提供了一种纳米粒子图案化方法,采用如前所述的纳米粒子图案化装置,包括如下步骤:
在所述容置槽内添加含有第一胶体纳米粒子的溶液;
通过所述图案化电极对含有第一胶体纳米粒子的溶液施加交流电场,使所述第一胶体纳米粒子按所述图案化电极的图案进行排布,并使所述含有第一胶体纳米粒子的溶液中的溶剂挥发以形成图案化的第一胶体纳米粒子子层;
平移所述上绝缘基板,调整所述图案化电极与所述容置槽的对位位置;
在所述容置槽内添加含有第二胶体纳米粒子的溶液;
通过所述图案化电极对含有第二胶体纳米粒子的溶液施加交流电场,使所述第二胶体纳米粒子按所述图案化电极的图案进行排布,并使所述含有第二胶体纳米粒子的溶液中的溶剂挥发以形成图案化的第二胶体纳米粒子子层。
根据本发明一优选实施例,所述形成图案化的第二胶体纳米粒子子层之后,还包括一裁切步骤:将所述下绝缘基板周围挡板切除。
根据本发明一优选实施例,所述含有第一胶体纳米粒子的溶液及含有第二胶体纳米粒子的溶液的溶剂均为低沸点溶剂。
根据本发明一优选实施例,所述第一胶体纳米粒子为亲水性胶体纳米粒子,所述含有第一胶体纳米粒子的溶液的溶剂为水,所述第二胶体纳米粒子为亲油性胶体纳米粒子,所述含有第二胶体纳米粒子的溶液的溶剂为烷烃类溶剂;或
所述第二胶体纳米粒子为亲水性胶体纳米粒子,所述含有第二胶体纳米粒子的溶液的溶剂为水,所述第一胶体纳米粒子为亲油性胶体纳米粒子,所述含有第一胶体纳米粒子的溶液的溶剂为烷烃类溶剂。
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