[发明专利]平面晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种平面晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在第一硅片的表面沉积固溶体薄膜，所述固溶体薄膜与所述第一硅片的硅晶格失配比为第一比值；

在所述固溶体薄膜上以单原子层的形式形成单晶硅薄膜；

将所述第一硅片、所述固溶体薄膜和所述单晶硅薄膜进行快速热退火处理；

将氢离子注入至第一硅片内；

将氧化片贴合于所述单晶硅薄膜上，并将所述单晶硅薄膜与所述氧化片键合，以得到键合片；

将所述键合片进行裂片处理，以去掉所述第一硅片；

采用腐蚀液腐蚀所述固溶体薄膜，以得到所述平面晶体管。

2.根据权利要求1所述的平面晶体管的制造方法，其特征在于，在第一硅片的表面沉积固溶体薄膜之前，所述平面晶体管的制造方法还包括：

采用丙酮溶液超声清洗所述第一硅片；

采用甲醇溶液超声清洗所述第一硅片；

采用水多次清洗所述第一硅片；

干燥所述第一硅片。

3.根据权利要求1所述的平面晶体管的制造方法，其特征在于，在所述固溶体薄膜上以单原子层的形式形成单晶硅薄膜的同时，所述平面晶体管的制造方法还包括：

采用惰性气体吹扫所述固溶体薄膜的表面。

4.根据权利要求1所述的平面晶体管的制造方法，其特征在于，将所述第一硅片、所述固溶体薄膜和所述单晶硅薄膜进行快速热退火处理包括：

将所述第一硅片、所述固溶体薄膜和所述单晶硅薄膜经过第一预设时长升温至第一预设温度；

将所述第一硅片、所述固溶体薄膜和所述单晶硅薄膜经过第二预设时长退火至室温。

5.根据权利要求1所述的平面晶体管的制造方法，其特征在于，

所述第一预设时长小于等于20分钟；

所述第一预设温度大于等于1000摄氏度，并且小于等于1400摄氏度；

所述第二预设时长大于等于1小时，并且小于等于2小时。

6.根据权利要求1所述的平面晶体管的制造方法，其特征在于，采用腐蚀液腐蚀所述固溶体薄膜之前，所述平面晶体管的制造方法还包括：

去除所述键合片进行裂片处理后在所述固溶体薄膜上残留的硅。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的平面晶体管的制造方法，其特征在于，

所述第一比值大于等于2.1％，并且小于等于20％。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的平面晶体管的制造方法，其特征在于，

所述腐蚀液包括乙酸、盐酸和氢氟酸；

所述乙酸、所述盐酸和所述氢氟酸的体积比为20:5:1。