[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201911024452.2 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111129290A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 林世杰;宋明远 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/10;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
形成一第一重金属层于一基板之上；
沉积一介电材料于该第一重金属层之上；
形成一第二重金属层于该介电材料和该第一重金属层之上；以及
扩散该介电材料的元素至该第一重金属层或该第二重金属层中的一个或多个之中。
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