[发明专利]一种显示面板有效
| 申请号: | 201911023872.9 | 申请日: | 2019-10-25 |
| 公开(公告)号: | CN110854151B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
| 发明(设计)人: | 胡小波 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/54;H01L33/64 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 | ||
本申请公开了一种显示面板,包括驱动基板以及依次设置在所述驱动基板上的导热层、绑定层和LED芯片;所述导热层上设有镂空部;所述绑定层填充在所述镂空部中,并与所述驱动基板电连接;所述LED芯片设置在所述绑定层上,并通过所述绑定层与所述驱动基板电连接。本申请提供的导热层在不影响LED芯片绑定效果的前提下可以及时的将LED芯片产生的热量传导出来,降低了器件老化速度,提高了显示面板的使用寿命,并且本申请提供的显示面板可适用于大功率Micro‑LED显示装置。
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种显示面板。
背景技术
Micro-LED发展成未来显示技术的热点之一,和目前的LCD(Liquid CrystalDisplay,液晶显示器)、OLED(Organic light Emitting Diode,有机发光二极管)显示器件相比,具有反应快、高色域、高PPI(像素密度)、低能耗等优势;但其技术难点多且技术复杂,特别是其关键技术:巨量转移技术。
Micro-LED芯片在制作完成后需要逐一转移到所需位置,需要转移的LED芯片的数量大且转移后的位置精度要求高,需耗费大量的资源。随着技术的发展,巨量转移技术发展至今已经出了不少技术分支,如静电吸附、镭射激光烧触等。
LED芯片绑定在显示基板的驱动电路上,通过将Sn(锡,熔点231.89℃)膏(焊料)加热变成熔融的Sn点绑定,Sn冷却后将LED芯片绑定在驱动电路上;但Sn的导热能力较弱,如在大功率的Micro-LED器件中,绑定材料Sn无法快速将Micro-LED芯片的热量传导出来,导致Micro-LED芯片长期处于高温环境中,容易造成器件老化速度加快,降低了Micro-LED产品的使用寿命。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板,以解决显示面板中LED芯片散热慢的问题。
本申请实施例提供了一种显示面板,包括驱动基板以及依次设置在所述驱动基板上的导热层、绑定层和LED芯片;
所述导热层上设有镂空部;所述绑定层填充在所述镂空部中,并与所述驱动基板电连接;所述LED芯片设置在所述绑定层上,并通过所述绑定层与所述驱动基板电连接。
可选的,所述导热层的材料包括石墨烯。
可选的,所述绑定层还覆盖在所述导热层远离所述驱动基板的表面上。
可选的,位于所述镂空部中的绑定层在所述驱动基板上的正投影面积大于所述导热层在所述驱动基板上的正投影面积。
可选的,所述导热层的厚度为10纳米至1000纳米。
可选的,所述导热层为网格状结构。
可选的,所述导热层包括在第一方向上间隔且平行设置的多条第一导热线,以及在第二方向上间隔且平行设置的多条第二导热线;其中,所述第一方向和所述第二方向之间的夹角大于0°,且所述多条第一导热线与所述多条第二导热线交错设置,构成所述网格状结构。
可选的,任意相邻的两条第一导热线之间的距离大于所述第一导热线的宽度;任意相邻的两条第二导热线之间的距离大于所述第二导热线的宽度。
可选的,所述第一导热线的宽度和所述第二导热线的宽度均为1微米至5微米。
可选的,所述驱动基板包括背板以及依次设置在所述背板上的驱动电路层和接触电极,所述接触电极与所述驱动电路层电连接;所述导热层和所述绑定层设置在所述接触电极上,所述LED芯片通过所述绑定层与所述接触电极电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911023872.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





