[发明专利]温度补偿型表面声波滤波器件及其制造方法

权利要求书

1.一种温度补偿型表面声波滤波器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供压电晶圆和硅晶圆，所述压电晶圆的尺寸小于所述硅晶圆的尺寸；

将所述压电晶圆整体上永久键合到所述硅晶圆上，或者，将所述压电晶圆分割成多个压电晶粒后，将各个压电晶粒永久键合到所述硅晶圆上，以形成晶圆键合结构；

将所述晶圆键合结构送入到所述硅晶圆尺寸对应的晶圆加工机台上进行作业，以形成叉指型电极于所述晶圆键合结构中的压电晶圆或各个所述压电晶粒的顶面上；

将形成有所述叉指型电极的所述晶圆键合结构送入后段封装制程，以通过晶圆切割工艺得到多个温度补偿型表面声波滤波器件。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，当所述晶圆键合结构是通过将所述压电晶圆整体上永久键合到所述硅晶圆上而形成的时，在将形成有所述叉指型电极的所述晶圆键合结构送入后段封装制程之前，先对所述晶圆键合结构中的硅晶圆进行去边处理，以使得所述硅晶圆的边缘和所述压电晶圆的边缘对齐。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，将所述压电晶圆整体上永久键合到所述硅晶圆上的步骤包括：

通过旋涂或沉积工艺，在所述压电晶圆的表面上形成第一永久键合层；

通过旋涂或沉积工艺，在所述硅晶圆的表面上形成第二永久键合层；

将所述压电晶圆装配到所述硅晶圆上，以使得所述第一永久键合层和所述第二永久键合层接触并永久键合在一起，进而使得所述压电晶圆整体上永久键合到所述硅晶圆上。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，将各个压电晶粒永久键合到所述硅晶圆上的步骤包括：

通过旋涂或沉积工艺，在所述硅晶圆的表面上形成永久键合层；

将各个所述压电晶粒分别装配到所述永久键合层上，以使得各个所述压电晶粒永久键合到所述硅晶圆上；

或者，将各个压电晶粒永久键合到所述硅晶圆上的步骤包括：

在将所述压电晶圆分割成多个压电晶粒之前，先通过旋涂或沉积工艺在所述压电晶圆的表面上形成第一永久键合层，以使得在将所述压电晶圆分割成多个压电晶粒之后，各个所述压电晶粒的顶面上覆盖有所述第一永久键合层；

通过旋涂或沉积工艺，在所述硅晶圆的表面上形成第二永久键合层；

将各个具有所述第一永久键合层的压电晶粒分别装配到所述硅晶圆上，以使得所述第一永久键合层和所述第二永久键合层接触并永久键合在一起，进而使得各个所述压电晶粒永久键合到所述硅晶圆上。

5.如权利要求3或4所述的制造方法，其特征在于，所述第一永久键合层和所述第二永久键合层的材料均包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，将所述压电晶圆分割成多个压电晶粒的步骤包括：先在所述压电晶圆的底面上贴蓝膜，然后从所述压电晶圆的顶面切割所述压电晶圆至所述蓝膜的顶面，之后去除所述蓝膜以获得多个压电晶粒。

7.如权利要求1或4所述的制造方法，其特征在于，将各个压电晶粒永久键合到所述硅晶圆上之后且在形成所述形成叉指型电极之前，还形成绝缘层于所述硅晶圆上，所述绝缘层填满相邻的压电晶粒之间的间隙并暴露出所述压电晶粒背向所述硅晶圆的表面。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成叉指型电极于所述晶圆键合结构中的压电晶圆或各个所述压电晶粒的顶面上之前，先对所述晶圆键合结构中的压电晶圆或各个所述压电晶粒的顶面进行减薄和抛光。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成叉指型电极于所述晶圆键合结构中的压电晶圆或各个所述压电晶粒的顶面上的同时，还形成焊盘于所述晶圆键合结构中的压电晶圆或各个所述压电晶粒的顶面上；在将形成有所述叉指型电极的所述晶圆键合结构送入后段封装制程之后，先在所述焊盘上植球，之后再进行所述切割，以得到多个温度补偿型表面声波滤波器件。

10.一种温度补偿型表面声波滤波器件，其特征在于，采用权利要求1～9中任一项所述的温度补偿型表面声波滤波器件的制造方法制造；所述温度补偿型表面声波滤波器件包括永久键合在一起的硅晶圆部分和压电晶粒，所述压电晶粒位于所述硅晶圆部分的上方；其中，所述压电晶粒的顶面上设有叉指型电极。