[发明专利]具有多个沟道层的非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

衬底；

单元电极结构，所述单元电极结构设置在所述衬底上，并且包括交替层叠的层间绝缘层和栅电极层；

沟槽，所述沟槽穿过所述衬底上的单元电极结构；

电荷储存结构，所述电荷储存结构设置在所述沟槽的侧壁表面上；和

沟道结构，所述沟道结构相邻于所述电荷储存结构设置，并且沿平行于所述侧壁表面的方向延伸，

其中，所述沟道结构包括单独的空穴传导层和相邻的且单独的电子传导层。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，

其中，所述电荷储存结构包括顺序地设置在所述侧壁表面上的电荷阻挡层、电荷陷阱层和电荷隧穿层。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，

其中，所述空穴传导层设置在所述电荷储存结构上，并且

其中，所述电子传导层设置在所述空穴传导层上。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，

其中，所述空穴传导层的空穴迁移率大于所述电子传导层的空穴迁移率，并且

其中，所述电子传导层的电子迁移率大于所述空穴传导层的电子迁移率。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，

其中，所述空穴传导层包括选自硅Si、锗Ge、硅锗SiGe、砷化镓GaAs和铟镓砷InGaAs中的至少一种的半导体材料。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器件，

其中，所述电子传导层包括铟镓锌In-Ga-Zn氧化物。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

控制电极结构，所述控制电极结构在所述沟槽内设置在所述单元电极结构之上或之下，并且包括层间电介质层和控制电极层；

控制电介质层，所述控制电介质层设置成在所述沟槽上与所述控制电极结构接触；和

控制沟道层，所述控制沟道层相邻于所述控制电介质层设置，并且电连接到所述沟道结构。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器件，

其中，所述控制沟道层是所述电子传导层的一部分，其被配置为在所述沟槽的侧壁上沿着所述控制电介质层延伸。

9.一种非易失性存储器件，包括：

衬底；

沟道结构，所述沟道结构沿垂直于所述衬底的方向延伸；

电荷储存结构，所述电荷储存结构设置成与所述沟道结构接触；和

单元电极结构，所述单元电极结构设置成在横向方向上与所述电荷储存结构接触，

其中，所述沟道结构包括空穴传导层和电子传导层。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器件，

其中，所述空穴传导层和所述电子传导层设置成沿着垂直于所述衬底的方向并且彼此接触。

11.如权利要求9所述的非易失性存储器件，

其中，所述电荷储存结构包括：

电荷隧穿层，所述电荷隧穿层与所述沟道结构接触；

电荷陷阱层，所述电荷陷阱层与所述电荷隧穿层接触；和

电荷阻挡层，所述电荷阻挡层与所述电荷陷阱层接触。

12.如权利要求11所述的非易失性存储器件，

其中，所述单元电极结构包括在横向方向上相邻于所述电荷阻挡层设置的栅电极层。

13.如权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，所述空穴传导层的空穴迁移率大于所述电子传导层的空穴迁移率，并且

其中，所述电子传导层的电子迁移率大于所述空穴传导层的电子迁移率。

14.如权利要求9所述的非易失性存储器件，

其中，所述电子传导层包括铟镓锌In-Ga-Zn氧化物。