[发明专利]存储器装置在审
| 申请号: | 201911015583.4 | 申请日: | 2019-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN112768460A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
| 发明(设计)人: | 江昱维;邱家荣 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/11565 | 分类号: | H01L27/11565;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储器 装置 | ||
1.一种存储器装置,包括:
一通道元件,包括一第一通道部、一第二通道部、及一中间通道部,该中间通道部在该第一通道部与该第二通道部之间,该第一通道部具有相对的一第一侧壁通道表面与一第二侧壁通道表面,该中间通道部具有相对的一第三侧壁通道表面与一第四侧壁通道表面,该第一通道部的该第一侧壁通道表面与该第二侧壁通道表面是分别在该中间通道部的该第三侧壁通道表面与该第四侧壁通道表面的外侧;
一存储元件;及
一电极元件,其中一存储单元定义在该通道元件与该电极元件之间的该存储元件中。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,还包括一柱状元件,该通道元件的该第一通道部环绕该柱状元件的一侧壁表面,该柱状元件包括通道材料或电极材料。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中该第二通道部具有相对的一第五侧壁通道表面与一第六侧壁通道表面,该第二通道部的该第五侧壁通道表面与该第六侧壁通道表面是分别在该中间通道部的该第三侧壁通道表面与该第四侧壁通道表面的外侧。
4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中该第一通道部电性连接一源极电极与一漏极电极其中之一,该第二通道部电性连接该源极电极与该漏极电极其中之另一。
5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中该通道元件具有哑铃形状配置。
6.一种存储器装置,包括:
一通道元件;
一存储元件,包括一第一存储部、一第二存储部、及一中间存储部,该中间存储部在该第一存储部与该第二存储部之间,该第一存储部具有相对的一第一外侧壁存储表面与一第二外侧壁存储表面,该中间存储部具有相对的一第三外侧壁存储表面与一第四外侧壁存储表面,该第一存储部的该第一外侧壁存储表面与该第二外侧壁存储表面是分别在该中间存储部的该第三外侧壁存储表面与该第四外侧壁存储表面的外侧;及
一电极元件,其中一存储单元定义在该通道元件与该电极元件之间的该存储元件中。
7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中该第二存储部具有相对的一第五外侧壁存储表面与一第六外侧壁存储表面,该第二存储部的该第五外侧壁存储表面与该第六外侧壁存储表面是分别在该中间存储部的该第三外侧壁存储表面与该第四外侧壁存储表面的外侧。
8.一种存储器装置,包括:
一绝缘元件,具有直条纹形状;
一通道元件,环绕该绝缘元件的一侧壁表面;
一存储元件;及
一电极元件,其中一存储单元定义在该通道元件与该电极元件之间的该存储元件中。
9.根据权利要求1至8任一项所述的存储器装置,包括多个该电极元件,在一垂直方向上互相分开配置在该存储元件的一侧壁表面上,其中多个该存储单元定义在该通道元件与这些电极元件之间的该存储元件中。
10.根据权利要求9所述的存储器装置,其中这些存储单元电性并联。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





