[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上依次沉积透明导电层和栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以形成像素电极和栅极；

在形成有所述像素电极和栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层以及保护层，并进行第二次光刻工艺，以形成金属氧化物半导体图形、保护图形、源极和漏极与所述金属氧化物半导体图形的接触过孔、以及所述漏极与所述像素电极的接触过孔；

在形成有金属氧化物半导体图形和保护图形的衬底基板上沉积源漏极金属层，并进行第三光刻工艺，以形成源极和漏极，并使所述漏极和所述像素电极电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二次光刻工艺通过半色调掩膜版工艺或者灰色调掩膜版工艺进行。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述进行第二次光刻工艺，以形成金属氧化物半导体图形、保护图形、源极和漏极与所述金属氧化物半导体图形的接触过孔、以及所述漏极与所述像素电极的接触过孔，具体包括：

在所述保护层之上设置光刻胶，并通过构图工艺形成第一光刻胶图案，其中所述第一光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全去除区域，所述光刻胶部分保留区域对应形成第一过孔和第二过孔的区域，所述光刻胶完全去除区域对应所述漏极和像素电极的接触过孔以及隔离过孔的区域，其中，所述第一过孔和第二过孔分别用于使源极和漏极与所述半导体图形接触，所述隔离过孔用于形成金属氧化物图形；

刻蚀掉光刻胶完全去除区域内的所述保护层、金属氧化物半导体层、以及栅极绝缘层；

去除所述光刻胶部分保留区域的所述光刻胶并减薄所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶，刻蚀掉光刻胶部分保留区域内的所述保护层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，

所述隔离过孔在所述衬底基板上的投影环绕所述源极和所述漏极设置。

5.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有金属氧化物半导体图形和保护图形的衬底基板上沉积源漏极金属层，并进行第三光刻工艺，以形成源极和漏极，具体包括：

在所述保护图形上以及所述第一过孔、第二过孔以及漏极和像素电极的接触过孔中沉积源漏极金属层，并进行第三光刻工艺，以使所述第一过孔和第二过孔中沉积的所述源漏极金属层分别形成所述源极和漏极，并使所述漏极和像素电极电连接。

6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层、透明导电层、源漏极金属层以及所述栅极金属层均通过溅射或热蒸发的工艺沉积形成。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层、所述保护层均通过等离子体增强化学气相沉积的工艺沉积形成。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、像素电极、栅极、透明导电图形、栅极绝缘层、金属氧化物半导体图形、源极、漏极、以及保护图形，所述像素电极设置在所述衬底基板上，所述透明导电图形和所述像素电极设置在同层，所述栅极设置在所述透明导电图形之上，所述栅极绝缘层覆盖在所述衬底基板上，且位于所述栅极和所述像素电极之上，所述金属氧化物半导体图形和所述保护图形依次层叠设置在所述栅极绝缘层上，所述源极和漏极的至少部分结构设置在所述金属氧化物半导体图形上，所述漏极与所述像素电极电连接，且所述像素电极和所述栅极在同一次光刻工艺中形成。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括覆盖在所述栅极绝缘层之上的金属氧化物半导体层和保护层，以及隔离过孔，所述隔离过孔贯穿所述保护图形、金属氧化物半导体图形以及所述栅极绝缘层，且所述隔离过孔在所述衬底基板上的投影环绕所述源极和所述漏极，位于所述隔离过孔围成的范围内的所述金属氧化物半导体层和保护层形成所述金属氧化物半导体图形和所述保护图形。

10.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板、液晶层和权利要求8或9所述的阵列基板，所述液晶层夹设在所述彩膜基板和所述阵列基板之间。