[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201911004133.5 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111384179A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 内海诚;荒冈干 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：
半导体基板，其由碳化硅构成；
第1导电型的第1半导体层，其设置于所述半导体基板的正面侧；
第2半导体层，其设置于比所述第1半导体层靠近所述半导体基板的正面侧的位置，形成所述半导体基板的正面；
第1导电型的第1半导体区，其选择性地设置于所述第2半导体层的表面；
第2导电型的第2半导体区，其选择性地设置于所述第2半导体层的表面；
第2导电型的第3半导体区，其是所述第2半导体层的除了所述第1半导体区和所述第2半导体区以外的部分，且杂质浓度比所述第2半导体区的杂质浓度低；
第2导电型的高浓度区，其是所述第3半导体区的一部分，且在深度方向上与所述第2半导体区对置；
第2导电型的低浓度区，其是所述第3半导体区的除了所述高浓度区以外的部分，在与所述半导体基板的正面平行的方向上与所述高浓度区对置，且在深度方向上与所述第1半导体区和所述第1半导体层对置；
沟槽，其从所述半导体基板的正面贯穿所述第1半导体区和所述低浓度区而到达所述第1半导体层；
栅电极，其隔着栅极绝缘膜设置于所述沟槽的内部；
第1电极，其与所述第1半导体区和所述第2半导体区电连接；以及
第2电极，其设置于所述半导体基板的背面，
所述高浓度区的杂质浓度沿与所述半导体基板的正面平行的方向随着接近所述低浓度区而降低。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述高浓度区的宽度比所述第2半导体区的宽度宽。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，所述高浓度区在深度方向上与所述第1半导体区和所述第2半导体区对置，
所述高浓度区的杂质浓度随着从杂质浓度最大的深度位置分别朝向所述半导体基板的正面侧和背面侧而变低，
所述高浓度区的杂质浓度最大的深度位置在深度方向上与所述第1半导体区分离。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，从所述高浓度区到所述沟槽的距离为0.04μm以上且0.2μm以下。
5.根据权利要求4所述的碳化硅半导体装置，其特征在于，从所述高浓度区到所述沟槽的距离为0.06μm以上且0.1μm以下。
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