[发明专利]一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法

权利要求书

1.一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，其特征在于：包括下列步骤：

S1、首先将冷藏得聚酰亚胺在常温环境静置12h以上；

S2、将制作有信号线、驱动电极、隔离层的晶圆置于功率为400W的氧等离子体中轰击5min，之后置于温度为110℃的热板上加热90s；

S3、将经过S2处理的晶圆迅速置于匀胶机上，趁其温度较高，旋涂聚酰亚胺；

S4、将旋涂有聚酰亚胺的晶圆水平放置在培养皿中，加盖，之后将培养皿放置在鼓风烘箱中进行预固化处理；所述S4中的预固化参数为：50℃持续4h以上或80℃持续3h以上，所述50℃持续4h以上或80℃持续3h以上均为平流参数，根据聚酰亚胺的粘度不同可以调整平流温度和时间，所述温度为聚酰亚胺流速最快时的温度，所述时间为聚酰亚胺停止流动所需的时间；

S5、经过预固化后的聚酰亚胺已经变成固态，通过光刻胶在聚酰亚胺上刻蚀锚点通孔；

S6、用丙酮去除S5的光刻胶；

S7、将晶圆置于氮气烘箱中进行固化处理；

S8、去除S6中残留的丙酮，完成高平整度牺牲层的制备。

2.根据权利要求1所述一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，其特征在于：所述S1中聚酰亚胺的黏度为7000-8000cp。

3.根据权利要求1所述一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，其特征在于：所述S3和S4中匀胶和预固化的参数可以根据需要聚酰亚胺的厚度进行调整。

4.根据权利要求1所述一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，其特征在于：所述S5中光刻胶的型号采用AZ4620，所述光刻胶厚度为7um。

5.根据权利要求1所述一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，其特征在于：所述S5中刻蚀锚点通孔的方法为：采用浓度为2.38%的四甲基氢氧化铵溶液为显影液，刻蚀的过程中，显影液会刻蚀预固化后的聚酰亚胺，完成聚酰亚胺的图形化。

6.根据权利要求1所述一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，其特征在于：所述S6中去除光刻胶的方法为：

S6.1、准备两个盛有丙酮的玻璃容器；

S6.2、将晶圆正面朝下，分别依次在两个容器中漂洗20s和10s；

S6.3、迅速将晶圆正面朝下置于无尘纸上，用无尘纸将丙酮吸干；

S6.4、将晶圆在氧等离子体中轰击5min，功率为200w。

7.根据权利要求1所述一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，其特征在于：所述S7中固化的参数为：150℃持续1h以上、180℃持续1h以上、250℃持续1h以上或300℃持续1h以上。

8.根据权利要求1所述一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，其特征在于：所述S8中去除残余丙酮的方法为：将晶圆分别在丙酮、异丙醇、去离子水中各漂洗1min。