[发明专利]带不导电插入层的体声波谐振器、滤波器和电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

顶电极；和

压电层，

其中：

所述顶电极边缘部分具有间隙部，所述间隙部与压电层之间在谐振器的厚度方向上存在间隙，且不导电插入层设置在所述间隙的至少一部分中。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述插入层的至少一部分的厚度与间隙的对应部分的高度相同。

3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

所述间隙具有同一高度且所述插入层的厚度与所述间隙的高度相同；或者所述插入层的厚度小于所述间隙的高度。

4.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

所述间隙为阶梯间隙，且在谐振器的厚度方向上，所述插入层的对应部分与间隙部间隔开。

5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

所述插入层位于所述阶梯间隙的内侧部分。

6.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述插入层与压电层之间还设置有刻蚀阻挡层。

7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：

所述刻蚀阻挡层的材料与所述顶电极的材料相同。

8.根据权利要求1述的谐振器，其中：

所述插入层的宽度大于所述间隙的宽度。

9.根据权利要求1述的谐振器，其中：

所述插入层的宽度小于所述间隙的宽度。

10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：

所述谐振器还设置有阻挡结构，所述阻挡结构连接在间隙部与压电层之间，且在横向方向上所述插入层设置在阻挡结构与顶电极之间。

11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：

所述阻挡结构与间隙部为一体结构。

12.根据权利要求10所述的谐振器，其中：

所述间隙为阶梯间隙，所述插入层与压电层或顶电极在谐振器的厚度方向上间隔开，所述插入层位于所述阶梯间隙的内侧部分；或者

所述间隙为阶梯间隙，所述插入层与顶电极以及压电层在谐振器的厚度方向上连接，所述插入层位于所述阶梯间隙的内侧部分。

13.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述间隙为环形间隙，且所述插入层为环形层。

14.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述插入层为如下材料：二氧化硅或多晶硅或硼磷酸盐玻璃或金属氧化物或氮化硅或碳化硅。

15.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述插入层与所述顶电极在谐振器的俯视图中的重叠区域的内侧在径向方向上与顶电极之间具有径向空隙。

16.根据权利要求1-15中任一项所述的谐振器，其中：

所述插入层与所述顶电极在谐振器的俯视图中的重叠区域的宽度大于2μm。

17.根据权利要求16所述的谐振器，其中：

所述重叠区域的宽度大于5μm。

18.一种滤波器，包括：

根据权利要求1-17中任一项所述的体声波谐振器。

19.一种电子设备，包括根据权利要求1-17中任一项所述的体声波谐振器，或者根据权利要求18所述的滤波器。