[发明专利]基于铝板缺陷检测的斜入射SV波双点聚焦换能器在审
| 申请号: | 201910983350.7 | 申请日: | 2019-10-16 |
| 公开(公告)号: | CN110806446A | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
| 发明(设计)人: | 黄松岭;孙洪宇;王珅;黄紫靖;汪芙平;于歆杰 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | G01N29/24 | 分类号: | G01N29/24;G01N29/04 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 王艳斌 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 缺陷 检测 入射 sv 波双点 聚焦 换能器 | ||
1.一种基于铝板缺陷检测的斜入射SV波双点聚焦换能器,其特征在于,包括:永磁体、非共心的双扇形回折线圈和被测铝板,其中,
所述永磁体位于所述双扇形回折线圈和所述被测铝板的上方,N极和S极沿所述被测铝板法向方向排列,用于将磁力线垂直穿过所述被测铝板的表面;
所述双扇形回折线圈为镜像对称结构,线圈采用扇形回折结构;
所述被测铝板位于所述永磁体和所述双扇形回折线圈正下方。
2.根据权利要求1所述的基于铝板缺陷检测的斜入射SV波双点聚焦换能器,其特征在于,所述双扇形回折线圈的两个线圈的激励电流幅值相同,相位一致,且线圈所在平面投影的聚焦点位置为扇形的中心。
3.根据权利要求1所述的基于铝板缺陷检测的斜入射SV波双点聚焦换能器,其特征在于,所述永磁体的磁化方向为所述被测铝板表面法线方向,且所述永磁体正下方的磁感线方向均垂直于所述被测铝板表面。
4.根据权利要求1所述的基于铝板缺陷检测的斜入射SV波双点聚焦换能器,其特征在于,所述双扇形回折线圈的相邻导线段的电流方向相反,以保证SV波的聚焦。
5.根据权利要求1所述的基于铝板缺陷检测的斜入射SV波双点聚焦换能器,其特征在于,还包括:
斜入射SV波双点聚焦换能器的发射端和非聚焦换能器的的接收端。
6.根据权利要求5所述的基于铝板缺陷检测的斜入射SV波双点聚焦换能器,其特征在于,所述被测铝板的厚度均匀且材料一致,铝板的中心位置位于所述斜入射SV波双点聚焦换能器的发射端的中点上。
7.根据权利要求1所述的基于铝板缺陷检测的斜入射SV波双点聚焦换能器,其特征在于,所述被测铝板表面仅存在人工缺陷,被测铝板表面除换能器外无任何超声耦合介质与其它装置。
8.根据权利要求1所述的基于铝板缺陷检测的斜入射SV波双点聚焦换能器,其特征在于,还包括:
测量装置,所述测量装置包括:脉冲电源发生器与接收器、导线、示波器和匹配电阻。
9.根据权利要求8所述的基于铝板缺陷检测的斜入射SV波双点聚焦换能器,其特征在于,所述斜入射SV波双点聚焦换能器的发射端的输出端与所述示波器的输入端相连,且所述连接匹配电阻为150Ω。
10.根据权利要求1所述的基于铝板缺陷检测的斜入射SV波双点聚焦换能器,其特征在于,还包括:
屏蔽罩和/或法拉第笼。
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