[发明专利]一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法在审
| 申请号： | 201910982012.1 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111188090A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 罗伟科;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/10;C30B25/16;C30B25/20 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 严海晨 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质量 氮化 薄膜 同质 外延 生长 方法 | ||
1.一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法，其特征是包括如下步骤：
1）选择衬底（1），转移入金属有机物化学气相沉积系统中；
2）对衬底进行高温烘烤；
3）升温进行慢速氮化铝优化层（2）生长；
4）降温进行快速氮化铝外延薄膜（3）生长。
2.根据权利要求1所述的一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法，其特征是所述步骤1）中衬底为(0001)面单晶氮化铝衬底或者氮化铝-蓝宝石复合衬底。
3.根据权利要求1所述的一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法，其特征是所述步骤2）中，烘烤氛围为纯H2气氛，烘烤温度在1000℃-1200℃，烘烤时间3-10分钟，压强100torr-200torr。
4.根据权利要求1所述的一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法，其特征是所述步骤3）中，升温过程中反应室通入NH3进行保护，反应室温度为1250℃-1400℃，载气为H2，压强为50torr-100torr， V族源摩尔量/ Ⅲ族源摩尔量为2000-3000，氮化铝优化层生长速率200nm-300nm/h，厚度20nm-100nm。
5.根据权利要求1所述的一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法，其特征是所述步骤4）中，反应室温度为1150℃-1250℃，载气为H2，压强为30torr-50torr，V族源摩尔量/Ⅲ族源摩尔量为500-1500，氮化铝外延薄膜生长速率800nm-1500nm/h，厚度800nm-3000nm。
6.根据权利要求1所述的一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法，其特征是所述步骤3）或步骤4）中，反应同时通入三甲基铝。
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