[发明专利]一种脱毒太子参块根的组培方法在审
| 申请号： | 201910947614.3 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110558230A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李晓红;吴杨;胡雪华;刘恒峻 | 申请（专利权）人： | 井冈山大学 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 50230 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈炳萍 |
| 地址： | 343009 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太子参 块根 磷酸二氢钾 太子参块根 诱导培养基 增殖培养基 脱毒效果 增殖培养 种子繁育 外殖体 蔗糖 茎尖 膨大 脱毒 制种 组培 叶片 激素 伸展 诱导 消毒 生长 | ||
1.一种脱毒太子参块根的组培方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：外殖体的处理与消毒
将带健壮芽头的太子参放置于1-4℃冷藏环境中冷藏，待太子参的芽头萌发后切取萌发芽头作为外殖体；将萌发芽头用自来水冲洗干净后晾干，于超净工作台上依次用酒精浸泡30s、0.1％升汞浸泡7-8min、无菌水冲洗3-5遍后，转入无菌培养皿中的滤纸上，备用；
S2：太子参茎尖的诱导
将经步骤S1处理之后的外植体置于体视镜下，从外植体上剥取大小为0.5mm的太子参茎尖，并将太子参茎尖接种于诱导培养基上培养，培养温度为15-20℃，光照强度为1500-2000lx，光照周期为10h/d，培养20-25天后太子参茎尖萌发出1-2个太子参不定芽；
S3：太子参苗的增殖培养
将步骤S2中诱导出的太子参不定芽转接于增殖培养基上培养，培养温度为15-20℃，光照强度为1500-2000lx，光照周期为10h/d，待太子参苗长高后将其切成4-5段太子参苗段，再用太子参苗段重复以上转接增殖培养过程；
S4：太子参瓶内块根的培养
将步骤S3中获得的太子参苗转接于块根培养基中培养，培养温度为15-20℃，培养室内不开组培灯培养50-60天后，太子参的茎节处长出2-3个块根，待块根直径长至0.5cm以上时取出洗净，于1-4℃冷藏处理20-30天后直接种于大田，从大田收获后可作为太子参种参使用。
2.根据权利要求1所述的一种脱毒太子参块根的组培方法，其特征在于，步骤S2中的诱导培养基为改良MS培养基，具体为MS培养基附加有0.5-1mg/L6-BA、0.1mg/LNAA、30g/L蔗糖和5g/L琼脂粉，PH值为5.8。
3.根据权利要求1所述的一种脱毒太子参块根的组培方法，其特征在于，步骤S3中的增殖培养基为改良1/2MS培养基，具体为1/2MS培养基附加有85mg/L磷酸二氢钾、30g/L蔗糖和5g/L琼脂粉，PH值为5.8。
4.根据权利要求1所述的一种脱毒太子参块根的组培方法，其特征在于，步骤S3中的转接增殖培养周期为18-24天/代。
5.根据权利要求4所述的一种脱毒太子参块根的组培方法，其特征在于，步骤S3中的转接增殖培养周期为20天/代。
6.根据权利要求1所述的一种脱毒太子参块根的组培方法，其特征在于，步骤S4中的块根培养基为改良1/2MS培养基，具体为1/2MS培养基附加有85mg/L磷酸二氢钾、60g/L蔗糖和5g/L琼脂粉，PH值为5.8。
7.根据权利要求1所述的一种脱毒太子参块根的组培方法，其特征在于，步骤S3中的太子参苗长至4-6cm高后将其切成4-5段太子参苗段。
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