[发明专利]一种LED屏幕、显示装置及设置LED屏幕的芯片的方法在审

专利信息
申请号: 201910946097.8 申请日: 2019-10-02
公开(公告)号: CN112599507A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 刘国旭;申崇渝 申请(专利权)人: 北京易美新创科技有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;G09F9/33
代理公司: 北京嘉科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11687 代理人: 刘力
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 屏幕 显示装置 设置 芯片 方法
【说明书】:

发明涉及LED技术领域,提供了一种LED屏幕、显示装置及设置LED屏幕的芯片的方法,其中,所述LED屏幕包括:多行芯片,其中,所述多行芯片中的至少一行为同时转移的芯片。本发明的LED屏幕可以极大地提高转移芯片的效率,并且可做到节省成本的目的。

技术领域

本发明涉及LED技术领域,更具体地说,是涉及一种LED屏幕、显示装置及设置LED屏幕的芯片的方法。

背景技术

MicroLED的特性,导致芯片数量特别的多,一个1K的屏幕中有6220800颗LED芯片,所以转移LED芯片的方法也叫做巨量转移。已知的MicroLED芯片转移方法中,是通过一个一个的像素点进行转移,由此可见,这种转移方式的效率过于低下,并且造成成本增加。

为了克服现有技术的上述缺陷,有必要提出一种新的LED屏幕、显示装置及设置LED屏幕的芯片的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种LED屏幕、显示装置及设置LED屏幕的芯片的方法,其能够克服现有技术的上述缺陷并能够实现极大地提高转移芯片的效率,并且可做到节省成本的目的。

为实现上述目的,本发明第一方面提出了一种LED屏幕,其中,包括:多行芯片,其中,所述多行芯片中的至少一行为同时转移的芯片。

如上所述的LED屏幕,其中,所述LED屏幕的像素间距是硅晶片的晶体间距的整数倍。

如上所述的LED屏幕,其中,所述LED屏幕的像素间距是硅晶片的晶体间距的1倍。

如上所述的LED屏幕,其中,所述LED屏幕的像素间距是硅晶片的晶体间距的2倍。

如上所述的LED屏幕,其中,所述LED屏幕的像素间距是硅晶片的晶体间距的3倍。

本发明的第二方面提出了一种显示装置,其中,所述显示装置包括如上所述的LED屏幕。

本发明的第三方面提出了一种设置LED屏幕的芯片的方法,其中,所述方法包括:

隔行批量转移所述芯片;

将转移的芯片放在基板的像素点位置。

如上所述的设置LED屏幕的芯片的方法,其中,在所述隔行批量转移所述芯片步骤中,利用激光剥离技术以隔行的方式将硅晶片上的芯片剥离。

如上所述的设置LED屏幕的芯片的方法,其中,在所述将转移的芯片放在基板的像素点位置步骤中,利用印章将剥离的芯片吸起以取出所述芯片,并将取出的芯片放在基板的像素点位置且烘烤所述芯片以固定所述芯片。

如上所述的设置LED屏幕的芯片的方法,其中,所述印章上设有与所述基板的像素点位置相对应的凸起。

具有上述结构的LED屏幕、显示装置以及采用上述方法可以极大地提高转移芯片的效率,并且可做到节省成本的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的LED屏幕的结构示意图;

图2为本发明实施例提供的设置LED屏幕的芯片的方法的流程示意图。

其中,图中各附图标记:

10-LED屏幕;

1-芯片;

2-基板。

具体实施方式

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