[发明专利]闪存器件的制造方法

说明书

本申请公开了一种闪存器件的制造方法，包括：提供一衬底，该衬底包括有源区，有源区上形成有栅极，该栅极包括控制栅；对栅极和衬底进行氮化处理，以改变控制栅的侧表面活性；在控制栅之间填充有机介质层。本申请通过在闪存器件的制造过程中，在衬底上形成栅极之后，对衬底和栅极进行氮化处理处理,在控制栅之间的间隙填充有机介质层，由于控制栅经过氮化处理处理后改变了其侧表面的活性，因此能够在一定程度上降低由于填充有机介质层所带来的气泡残留所造成的控制栅的形变，提高了闪存器件的良率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种闪存器件的制造方法。

背景技术

快闪存储器(Nand-flash，以下简称“闪存”)是一种采用非易失性存储 (Non-volatile Memory，NVM)技术的存储器，目前被广泛应用于智能手机、平板电脑、 数码相机、通用串行总线闪存盘(Universal Serial Bus Flash Disk，USB闪存盘，简 称“U盘”)等具有存储功能的电子产品中。闪存的主要特点在于：容量相对较大，改写 速度快，适用于大量数据的存储，断电后仍能保存数据，因此其得到了越来越广泛的应 用。

闪存器件的栅极包括控制栅(Control Grid，CG)，通常，在闪存器件的制造过程中，在对控制栅进行刻蚀之后，出于保护控制栅的目的，需要在控制栅之间的缝隙内填 充有机介质层(Organic Dielectric Layer，ODL)。

然而，在控制栅之间的缝隙填充有机介质层的过程中，通常会有气泡残留从而导致 控制栅的侧向变形，进而导致闪存器件的良率较低。

发明内容

本申请提供了一种闪存器件的制造方法，可以解决相关技术中提供的闪存器件的制 造方法容易导致控制栅的侧向变形的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种闪存器件的制造方法，包括：

提供一衬底，所述衬底包括有源区，所述有源区上形成有栅极，所述栅极包括控制栅；

对所述栅极和所述衬底进行氮化处理，以改变所述控制栅的侧表面活性；

在所述栅极和所述衬底的表面填充有机介质层，使所述有机介质层填充在所述控制 栅之间。

可选的，所述氮化处理的处理温度为600摄氏度至1000摄氏度。

可选的，所述氮化处理的时间为30秒至1分钟。

可选的，在对所述栅极和所述衬底进行所述氮化处理时，通入的氮气的流量大于60 标准毫升/分钟。

可选的，所述对所述栅极和所述衬底进行氮化处理之前，还包括：

在所述衬底上生成多层膜结构；

通过光刻工艺覆盖所述多层膜结构表面所述栅极所在区域；

对所述多层膜结构除所述栅极所在区域的其它区域进行刻蚀，形成所述栅极。

可选的，所述多层膜结构沿所述衬底至所述栅极的方向依次包括氧化层、第一多晶 硅层、介电层、第二多晶硅层、间隔层以及硬掩模层；

所述第二多晶硅层在通过所述刻蚀之后形成所述控制栅。

可选的，所述氧化层包括第一氧化硅层，所述间隔层包括氮化硅层，所述介电层包括ONO介电层。

可选的，所述硬掩模层包括第二氧化硅层。

可选的，所述有机介电层的高度高于所述栅极的高度。

可选的，所述在所述栅极和所述衬底的表面填充有机介质层之后，还包括：

对所述有机介质层进行第一次去除，使所述第二氧化硅层暴露在外，不暴露所述ONO 介电层；