[发明专利]电子装置

说明书

一种电子装置包括多个双栅极薄膜晶体管(DGTFT)。双栅极薄膜晶体管包括第一双栅极薄膜晶体管。双栅极薄膜晶体管包括基板、设置在基板上方的第一透明导电层以及第一金属层。第一金属层对应于第一透明导电层设置。第一金属层电性连接至第一透明导电层。

技术领域

本申请是关于一种电子装置，特别是关于一种具有至少一个双栅极薄膜晶体管(DGTFT)的电子装置，其中双栅极薄膜晶体管的金属层电性连接至透明导电层。

背景技术

在电子装置中，例如光感测装置，多个双栅极型晶体管(例如：双闸及薄膜晶体管(double gate thin-film transistor；DGTFT))以阵列布置以感测光或影像(例如：指纹图案)。在双栅极型晶体管的已知结构中，透明电极材料被用作上栅极(top gate)电极以将光发射到半导体层。

然而，近代的光感测装置需要高电压电位解析度(high voltage levelresolution)和更准确的识别。这种上栅极电极可能具有高电压电位电阻，并且可能导致光感测装置的每个影像感测区中的电路操作延迟和影像数据的变化。另外，影像感测区不仅可以通过从物体所反射的光来曝光，还可以通过来自其他方向的杂散光来曝光。此外，当影像感测区中的每个像素的双栅极型晶体管的特性有相应的变化时，也可能导致数据变化。使用双栅极型晶体管的已知光感测装置输出模拟数据，因此很容易受到这些变化的影响。

发明内容

本申请提供一种电子装置。电子装置包括多个双栅极薄膜晶体管(DGTFT)。双栅极薄膜晶体管包括第一双栅极薄膜晶体管。双栅极薄膜晶体管包括基板、设置在基板上方的第一透明导电层以及第一金属层。第一金属层对应于第一透明导电层设置。第一金属层电性连接至第一透明导电层。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1A显示了根据本申请实施例的在电子装置中的双栅极薄膜晶体管(DGTFT)的俯视图(布局)。

图1B显示了沿着在图1A中所示的线段A-A'截取的双栅极薄膜晶体管的剖面图。

图2A和图2B显示了根据本申请实施例的双栅极薄膜晶体管的剖面图。

图2C和图2D显示了根据本申请实施例的感测物体的双栅极薄膜晶体管的示意图。

图3显示了根据本申请实施例的两个相邻的双栅极薄膜晶体管的剖面图。

图4A显示了根据本申请实施例的双栅极薄膜晶体管的剖面图。

图4B显示了根据本申请实施例的两个相邻的双栅极薄膜晶体管的剖面图，其中它们之间具有金属层。

图4C和图4D显示了根据本申请实施例的双栅极薄膜晶体管的剖面图。

图5显示了根据本申请实施例的具有相反结构的双栅极薄膜晶体管的剖面图。

图6显示了根据本申请实施例的光感测装置的示意图。

图7显示了根据本申请实施例的光感测装置的示意图。

图8A和图8B显示了根据本申请实施例的与光感测装置组合的显示装置的示意图。

图9显示了根据本申请实施例的整合到在液晶显示器中的显示区的薄膜晶体管阵列中的双栅极薄膜晶体管阵列。

图10A显示了根据本申请实施例的在图9中的阵列的一部分的示意图。

图10B显示了根据本申请实施例的在图10A中的阵列的光感测的时序图。

图11显示了根据本申请实施例的整合到在液晶显示器中的显示区的薄膜晶体管阵列中的双栅极薄膜晶体管阵列。