[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底以及形成在所述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一甲电极和第一乙电极，所述第一有源层包括低温多晶硅有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二甲电极和第二乙电极；所述第二有源层包括氧化物半导体有源层；

在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一有源层所在膜层、所述第一甲电极所在膜层、所述第一乙电极所在膜层、所述第一栅极所在膜层均位于所述第二有源层所在膜层与所述衬底之间；

所述第二甲电极与所述第一栅极位于同一膜层；所述第一乙电极复用为所述第二乙电极；在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第二栅极所在膜层位于所述第二有源层所在膜层背离所述衬底的一侧；

所述第二乙电极和第二甲电极之间的绝缘层设置有第三过孔；

所述第二有源层填充所述第三过孔；

所述第三过孔在垂直于衬底所在平面的方向上的投影落入所述第二栅极覆盖范围。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述衬底上依次形成有第一半导体层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第二半导体层、第三绝缘层和第三金属层；

所述第一有源层位于所述第一半导体层；所述第一栅极位于所述第一金属层；所述第一甲电极和所述第一乙电极位于所述第二金属层，所述第一甲电极通过第一过孔与所述第一有源层电连接；所述第一乙电极通过第二过孔与所述第一有源层电连接；

所述第二有源层位于所述第二半导体层，所述第二甲电极位于所述第一金属层，所述第二甲电极与所述第二有源层电连接；所述第二有源层覆盖部分所述第一乙电极，且所述第二有源层与其所覆盖的所述第一乙电极直接接触并电连接，以使所述第一乙电极复用为所述第二乙电极；所述第二栅极位于所述第三金属层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述衬底上依次形成有第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第二半导体层、第三绝缘层和第三金属层；

所述第一栅极位于所述第一金属层；所述第一有源层位于所述第一半导体层；所述第一甲电极和所述第一乙电极位于所述第二金属层，所述第一甲电极通过第一过孔与所述第一有源层电连接；所述第一乙电极通过第二过孔与所述第一有源层电连接；

所述第二有源层位于所述第二半导体层，所述第二甲电极位于所述第一金属层，所述第二甲电极与所述第二有源层电连接；所述第二有源层覆盖部分所述第一乙电极，且所述第二有源层与其所覆盖的所述第一乙电极直接接触并电连接，以使所述第一乙电极复用为所述第二乙电极；所述第二栅极位于所述第三金属层。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二有源层包括第二甲电极接触区、第二乙电极接触区以及连接于所述第二甲电极接触区和所述第二乙电极接触区之间的沟道区；

所述第二甲电极接触区与所述第二甲电极直接接触且电连接；

所述第二乙电极接触区与所述第二乙电极直接接触且电连接；

所述第二甲电极接触区和所述第二乙电极接触区位于平行于所述衬底的不同平面，所述沟道区至少部分延伸方向与所述衬底所在平面相交；

所述第三绝缘层中覆盖所述第二乙电极接触区的部分与覆盖所述第二甲电极接触区的部分位于平行于所述衬底的不同平面。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二栅极与所述第二有源层的最小距离小于或等于1μm。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一乙电极的厚度大于所述第二有源层的厚度。

7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二甲电极与所述第二有源层通过所述第三过孔电连接。

8.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二绝缘层包括台阶；

所述第二有源层的所述沟道区覆盖所述台阶侧壁的至少部分。