[发明专利]氧化层去除方法及半导体加工设备

权利要求书

1.一种氧化层去除方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，对所述待加工层进行氧化，以形成指定氧化层；

S2，对具有所述指定氧化层的所述待加工层进行刻蚀；

循环进行所述步骤S1和步骤S2，直至达到预设的总刻蚀厚度；

其中，通过调节所述步骤S1获得的所述指定氧化层的厚度，使所述步骤S2中所述指定氧化层和待加工层的刻蚀选择比达到预设比例。

2.根据权利要求1所述的氧化层去除方法，其特征在于，所述待加工层包括Si₃N₄；所述指定氧化层包括SiO₂；所述预设比例为1:1。

3.根据权利要求1或2所述的氧化层去除方法，其特征在于，通过调节所述步骤S1和步骤S2的循环次数，使获得的刻蚀形貌满足要求。

4.根据权利要求3所述的氧化层去除方法，其特征在于，所述指定氧化层的厚度的取值范围在1-10nm。

5.根据权利要求1或2所述的氧化层去除方法，其特征在于，在所述步骤S1中，氧化气体包括氧气和水蒸气中的至少一者。

6.根据权利要求1或2所述的氧化层去除方法，其特征在于，所述氧化气体的流量的取值范围在10-2000sccm。

7.根据权利要求1或2所述的氧化层去除方法，其特征在于，所述指定氧化层的厚度的取值范围在1-50nm。

8.根据权利要求7所述的氧化层去除方法，其特征在于，针对自然氧化层的去除情况，所述指定氧化层的厚度的取值范围在1-3nm。

9.根据权利要求1或2所述的氧化层去除方法，其特征在于，在每次完成所述步骤S2之后，且在进行下一次所述步骤S1之前，还包括以下步骤：

S3，对所述待加工层进行退火工艺，以去除固态产物和吸附产物。

10.一种半导体加工设备，其特征在于，用于进行权利要求1-9任意一项所述的氧化层去除方法，所述半导体加工设备包括：

至少一个工艺腔室，用于对具有所述指定氧化层的所述待加工层进行刻蚀；

氧化腔室，用于对所述待加工层进行氧化。

11.根据权利要求10所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备还包括退火腔室，用于对所述待加工层进行退火工艺。

12.根据权利要求10所述的半导体加工设备，其特征在于，所述工艺腔室集成为兼具退火和刻蚀的双功能腔室。

13.根据权利要求12所述的半导体加工设备，其特征在于，所述双功能腔室分别进行刻蚀步骤和退火步骤所采用的工艺温度相同；其中，所述刻蚀步骤采用的工艺气体包括NH₃、HF和载气；其中，所述NH₃的流量的取值范围在100-600sccm；所述HF的流量的取值范围在100-600sccm；所述载气的流量的取值范围在10-6000sccm。

14.根据权利要求10所述的半导体加工设备，其特征在于，所述氧化腔室集成为兼具退火和氧化的双功能腔室。