[发明专利]液体输送设备、液体输送及蒸发方法以及半导体制造系统有效
| 申请号: | 201910880168.9 | 申请日: | 2019-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN110931391B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
| 发明(设计)人: | 杨信龙;官志达;彭垂亚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/448 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;黄艳 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液体 输送 设备 蒸发 方法 以及 半导体 制造 系统 | ||
本公开一些实施例提供一种将液体输送到下游工艺的液体输送设备以及方法。所述液体输送设备可包括配置以保持液体的容器;以及流体连接容器以从容器接收流体以及流体连接下游工艺以输送流体的伸缩管。伸缩管暴露于恒定外界压力,并配置以在伸缩管停止从容器接收流体时,在恒定外界压力下输送流体。在一些实施例中,恒定外界压力为大气压力。所述伸缩管包括可经受压力而变形的材料。所述液体输送设备还包括蒸发器,配置以接收流体并蒸发流体以制造蒸气;以及一或多个化学气相沉积腔室,配置以接收蒸气并保持基板,用以将蒸气的成分沉积在基板上。
技术领域
本公开实施例涉及一种液体输送设备、一种液体输送及蒸发方法、以及一种半导体制造系统。
背景技术
半导体集成电路(integrated circuit,IC)工业经历了指数增长。集成电路材料及设计的技术改进已产生了数个世代的集成电路,每一世代的集成电路都具有比上一世代更小及更复杂的电路。在集成电路进化过程中,功能密度(单位芯片面积的互联装置数量)通常随着几何尺寸(使用制造工艺可以创建的最小元件或线)下降而增加。这种微缩化的过程通常可提高生产效率和降低相关成本。
发明内容
本公开一些实施例提供一种液体输送设备,用以将液体输送到下游工艺。在一些实施例中,液体输送设备可包括配置以保持液体的容器;以及流体连接容器以从容器接收流体以及流体连接下游工艺以输送流体的伸缩管。在一些实施例中,伸缩管暴露于恒定外界压力,并配置以在伸缩管停止从容器接收流体时,在恒定外界压力下输送流体。
本公开一些实施例亦提供一种液体输送及蒸发方法。所述方法可包括将液体充入容器、将流体从容器输送到伸缩管,伸缩管是配置以当伸缩管停止从容器接收流体时,在恒定外界压力下进行变形,而将流体排出到蒸发器、以及在蒸发器中蒸发流体以形成蒸气。
本公开一些实施例还提供一种半导体制造系统。所述半导体制造系统可包括配置以保持流体的容器、流体连接容器以从容器接收流体以及流体连接下游工艺以输送流体的伸缩管、配置以接收流体以及制造蒸气的蒸发器、配置以接收蒸气并保持基板的一或多个化学气相沉积腔室,以将蒸气的成分沉积在基板上、以及配置以连接容器、伸缩管、蒸发器、以及一或多个化学气相沉积腔室的一或多个管道。在一些实施例中,伸缩管暴露于恒定外界压力,并配置以在伸缩管停止从容器接收流体时,在恒定外界压力下输送流体。
本公开提出一种液体输送设备,用以将一液体输送到一下游工艺,包括:
一容器,配置以保持该液体;以及
一伸缩管,流体连接该容器以从该容器接收该流体,以及流体连接该下游工艺以输送该流体,其中该伸缩管暴露于一恒定外界压力,并配置以在该伸缩管停止从该容器接收该流体时,在该恒定外界压力下输送该流体。
优选地,其中该恒定外界压力为大气压力。
优选地,其中该伸缩管包括一可经受压力而变形的材料。
优选地,其中该可经受压力而变形的材料包括不锈钢。
优选地,其中该可经受压力而变形的材料为流体不可渗透的材料。
优选地,其中当该伸缩管的一内部压力小于该恒定外界压力时,该伸缩管的一内部容积降低。
优选地,其中该内部容积的降低量大于单次工艺运行所需的该液体的体积。
优选地,其中该伸缩管包括一固定的第一端以及一可挠的第二端。
优选地,其中当该内部压力小于该恒定外界压力时,该可挠的第二端朝该固定的第一端移动。
优选地,还包括一液体流速控制装置,配置以调节从该伸缩管排出的该液体的流速。
优选地,还包括一蒸发器,配置以接收该流体并蒸发该流体以制造一蒸气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





