[发明专利]基于反射超表面和部分反射表面的电调下倾基站天线有效
| 申请号: | 201910868318.4 | 申请日: | 2019-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN110534921B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
| 发明(设计)人: | 李龙;李志龙;韩家奇;刘海霞;高晓贺;穆亚洁 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
| 主分类号: | H01Q21/08 | 分类号: | H01Q21/08;H01Q19/185;H01Q19/10;H01Q15/00;H01Q3/34;H01Q1/38;H01Q1/42;H01Q1/48;H01Q1/24 |
| 代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;黎汉华 |
| 地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 反射 表面 部分 下倾 基站 天线 | ||
1.一种基于反射超表面和部分反射表面的电调下倾基站天线,包括双极化天线阵列(1),矩形介质基板(2)和金属底板(3),双极化天线阵列(1)固定在矩形介质基板(2)上,金属底板(3)的尺寸与矩形介质基板(2)相同,且紧贴在矩形介质基板(2)的下表面,其特征在于:
双极化天线阵列(1)的两侧设有单极化反射超表面阵列(4),矩形介质基板(2)的上方固定有反射覆层(5),该反射覆层(5)与单极化反射超表面阵列(4)构成FP谐振腔,以对双极化天线阵列(1)的前向辐射波束进行反射,使前向辐射波束受单极化反射超表面阵列(4)的调控,实现波束偏转;
单极化反射超表面阵列(4)的每个单元包括周期性排列的谐振环(41)、变容二极管(42)和金属过孔(43),该谐振环(41)中心引出与谐振环内侧边缘相连接的微带枝节(44),该变容二极管(42)嵌在微带枝节(44)的中间,金属过孔(43)位于谐振环(41)与金属底板(3)之间,用于对这两者进行连接。
2.根据权利要求书1所述的基站天线,其特征在于:
所述双极化天线阵列(1)垂直于反射覆层(5)和反射超表面阵列(4),其位置介于两者之间,且双极化天线阵列(1)等效的相位中心在反射超表面阵列(4)的中心轴线上,作为馈源;
所述双极化天线阵列(1)的每一个单元包括垂直交叉的T型介质板(11),T型微带(12)和可调集成巴伦(13),且T型微带(12)与T型介质板(11)的背面紧贴,可调集成巴伦(13)与T型介质板(11)的正面紧贴。
3.根据权利要求书2所述的基站天线,其特征在于:T型介质板(11)采用介电常数为4.4,损耗正切为0.02的FR4材质。
4.根据权利要求书1所述的基站天线,其特征在于:所述反射覆层(5)与金属底板(3)的高度差H由反射覆层(5)的反射相位决定,其计算公式为:
其中,c为自由空间电磁波传播速度,为反射覆层(5)的反射相位,为金属底板(3)的反射相位,默认为180°,f为中心工作频率。
5.根据权利要求书1所述的基站天线,其特征在于:谐振环(41)采用矩形金属环结构,调节变容二极管(42)的值cx可以改变其反射相位φ,其计算公式为:
φ=k0·Δl=k0(rf+Δdi)+2nπ
其中,k0为自由空间波数,Δl为电磁波传播路径差,rf为双极化天线阵列(1)相位中心到谐振环(41)相位中心的距离,Δdi为谐振环(41)反射电磁波传播路径差;其计算公式为:
其中,和为双极化天线阵列(1)相位中心的坐标,xi、yi和zi为第i个谐振环(41)的相位中心分别在x、y和z方向上与坐标原点的距离,θ0为波束偏转角度,为方位角。
6.根据权利要求书1所述的基站天线,其特征在于,矩形介质基板(2)采用介电常数为2.65,损耗正切为0.005的F4B材质,其长为330mm,宽为110mm,厚度为2mm。
7.根据权利要求书1所述的基站天线,其特征在于,反射覆层(5)的尺寸与矩形介质基板(2)相同,且采用介电常数为10.2,损耗正切为0.0023,反射系数为0.53,反射相位为227.53°的Rogers6010材质。
8.根据权利要求书1所述的基站天线,其特征在于:
谐振环(41)与双极化天线阵列(1)均沿x轴方向排列,相邻谐振环(41)与相邻双极化天线阵列(1)的单元沿x轴的间距均为d,45mm<d≤55mm;
沿y轴方向排列的两个变容二极管(42)的电容值相同。
9.根据权利要求书1或5所述的基站天线,其特征在于:双极化天线阵列(1)的天顶波束偏转角度由单极化反射超表面阵列(4)的补偿相位决定,而单极化反射超表面阵列(4)的补偿相位是谐振环(41)反射相位φ的叠加。
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