[发明专利]一种双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法

权利要求书

1.一种双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，包括：

刻蚀出辅助沟道孔结构；其中，所述辅助沟道孔的深度与上堆叠结构中的堆叠结构厚度偏差在预设范围内；

通过所述辅助沟道孔结构，刻蚀掉位于下堆叠结构以上的上堆叠结构，露出可供检测的下沟道结构中的存储膜；其中，所述下沟道结构位于所述下堆叠结构中；以及

检测所述下沟道结构中的存储膜的侧壁轮廓。

2.根据权利要求1所述的双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，在刻蚀出辅助沟道孔结构之前，所述方法还包括：

获取对存储膜完成深孔打穿刻蚀的半导体结构，对于沟道孔内的存储膜表面沉积保护层。

3.根据权利要求2所述的双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，所述保护层材料具体为无定型硅、氧化硅、多晶硅中的一种或者多种。

4.根据权利要求2所述的双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，所述通过所述辅助沟道孔结构，刻蚀掉位于下堆叠结构以上的上堆叠结构，具体包括：

利用电介质层和牺牲层选择比，以及电介质层和保护层选择比均满足预设条件的刻蚀工艺，刻蚀掉位于下堆叠结构最上层牺牲层以上的堆叠结构，露出可供检测的下沟道结构中的存储膜。

5.根据权利要求1所述的双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，所述通过所述辅助沟道孔结构，刻蚀掉位于下堆叠结构以上的上堆叠结构，具体包括：

利用电介质层和牺牲层选择比满足预设条件的刻蚀工艺；通过控制刻蚀时间，使得上堆叠层中的电介质层被刻蚀掉。

6.根据权利要求4所述的双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，所述上堆叠结构和下堆叠结构之间沉积有刻蚀停止层；所述刻蚀停止层具体包括：具有预设厚度的电介质层构成。

7.根据权利要求6所述的双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，所述预设厚度具体为：位于区间[25nm,200nm]中。

8.根据权利要求2所述的双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，所述存储膜表面在进行深孔打穿刻蚀前生成有保护用的表层，则所述获取对存储膜完成深孔打穿刻蚀的半导体结构，还包括：

移除存储膜表面上起深孔打穿刻蚀过程保护用的表层，得到存储膜侧壁的轮廓。

9.根据权利要求1所述的双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，所述刻蚀出辅助沟道孔结构，具体包括：

进行前栅自对准结构光刻、后栅自对准结构光刻、栅线缝隙或者定制化图形的栅对准光刻，并刻蚀得到所述的辅助沟道孔结构。

10.根据权利要求1所述的双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，所述下沟道结构周围的堆叠结构的上表面层为牺牲层。

11.根据权利要求4、6或7所述的双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，所述利用电介质层和牺牲层选择比，以及电介质层和保护层选择比均满足预设条件的刻蚀工艺，具体包括：使用浓度为40％-60％的氢氟酸进行湿法刻蚀。

12.根据权利要求4-10任一所述的双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，所述刻蚀掉位于下堆叠结构最上层牺牲层以上的堆叠结构，方法具体包括：

在刻蚀的过程中或者刻蚀结束后，使用超声处理，以便去除掉在所述刻蚀过程中，仍然遗留下来的位于上沟道结构的保护层。

13.根据权利要求1-10任一所述的双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，所述检测所述下沟道结构中的存储膜的侧壁轮廓，方法还包括：

通过晶圆扫明场像，获取所述下沟道结构中存储膜的侧壁轮廓以检测侧壁损伤情况。