[发明专利]一种用于硅材料低温精炼除硼的造渣剂及其使用方法有效
| 申请号： | 201910850825.5 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110482556B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 李京伟;陈健;班伯源;孙继飞;史剑;曹佰来 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 郑琍玉 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 材料 低温 精炼 造渣 及其 使用方法 | ||
1.一种用于硅材料低温精炼除硼的造渣剂的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：将40g硅粉与60g铝块置于氧化铝坩埚中，然后加入1000g的TiCl4，将坩埚置于电阻炉内，匀速升温至600℃，恒温4h，中间每隔30min用石英棒搅拌一次，待硅合金与造渣剂完全熔化均匀，然后以0.01℃/min冷却至室温；将凝固后的样品用金刚石切割机纵向剖开，将顶部的造渣剂与下部的硅合金相分离，然后将硅合金用盐酸溶液浸泡，溶解铝基体，得到大尺寸的硅片，采用过滤，水洗和干燥的方式，将硅片烘干。
2.一种用于硅材料低温精炼除硼的造渣剂的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：将0.6g硅粉与60g锡块置于氧化铝坩埚中，然后加入100g的三氯化钒，将坩埚置于电阻炉内，匀速升温至1050℃，恒温3h，中间每隔30min用石英棒搅拌一次，待硅合金与造渣剂完全熔化均匀，然后以0.01℃/min冷却至室温；将凝固后的样品用金刚石切割机纵向剖开，将顶部的造渣剂与下部的硅合金相分离，然后将硅合金用盐酸溶液浸泡，溶解锡基体，得到大尺寸的硅片，采用过滤，水洗和干燥的方式，将硅片烘干。
3.一种用于硅材料低温精炼除硼的造渣剂的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：将40g硅粉与60g铜块置于氧化铝坩埚中，然后加入200g的三氯化钒，将坩埚置于电阻炉内，匀速升温至1050℃，恒温3h，中间每隔30min用石英棒搅拌一次，待硅合金与造渣剂完全熔化均匀，然后以0.01℃/min冷却至室温；将凝固后的样品用金刚石切割机纵向剖开，将顶部的造渣剂与下部的硅合金相分离，然后将硅合金用盐酸溶液浸泡，溶解铜基体，得到大尺寸的硅片，采用过滤，水洗和干燥的方式，将硅片烘干。
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