[发明专利]测试半导体器件的设备和方法在审

专利信息
申请号: 201910836962.3 申请日: 2019-09-05
公开(公告)号: CN112540278A 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 张涛 申请(专利权)人: 泰瑞达亚洲股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R1/073
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 穆森;戚传江
地址: 新加坡,*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 测试 半导体器件 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种测试半导体器件的设备,其特征在于,包括:

探针卡板,所述探针卡板包括多个探针,所述多个探针包括第一组探针和第二组探针,其中所述测试半导体器件的设备被配置为:

当所述多个探针接触所述半导体器件时:

所述第一组探针被提供电压;

所述第二组探针被提供电流;

通过测量所述第二组探针的电压和测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压,计算良好接触的探针数量。

2.根据权利要求1所述的测试半导体器件的设备,其中:

所述第二组探针被提供的所述电流是单一个探针所能承受的最大电流或是所述单一个探针所能承受的最大电流的数倍至数十倍。

3.根据权利要求1所述的测试半导体器件的设备,其中:

若所述第二组探针的电压与所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压的差小于探针所能承受的最大电压乘以预定的倍数,且所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压与所述第一组探针的电压的差小于所述探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数,则在所述计算良好接触的探针数量前:

提升所述第二组探针被提供的所述电流;

测量所述第二组探针的电压;

测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压;

直到所述第二组探针的电压与所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压的差不小于探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数,或所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压与所述第一组探针的电压的差不小于所述探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数,才进行所述计算良好接触的探针数量,

其中,所述预定的倍数的选择依能够安全的提升所述第二组探针被提供的所述电流决定,且所述预定的倍数小于1。

4.根据权利要求1所述的测试半导体器件的设备,其中:

所述测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的所述电压包括使用专属探针进行测量。

5.根据权利要求1所述的测试半导体器件的设备,其中:

所述第二组探针所包含的探针数量与所述第一组探针所包含的探针数量大致相等。

6.根据权利要求1所述的测试半导体器件的设备,其中:

所述第一组探针被提供的所述电压是由第一电源供应器提供,且

所述第二组探针被提供的所述电流是由第二电源供应器提供。

7.根据权利要求1至6任一项所述的测试半导体器件的设备,还被配置为:

利用所述良好接触的探针数量计算测试所述半导体器件的最大安全电流。

8.根据权利要求7所述的测试半导体器件的设备,还被配置为:

将所述第二组探针和所述第一组探针连接而成为相同的电源面,以小于所述最大安全电流的电流测试所述半导体器件。

9.根据权利要求1至6任一项所述的测试半导体器件的设备,其中:

所述第一组探针被提供的所述电压是接近或等于0伏特。

10.一种测试半导体器件的方法,其特征在于,包括:

使所述半导体器件与探针卡板的多个探针接触,所述多个探针包括第一组探针和第二组探针;

提供电压给所述第一组探针;

提供电流通过所述第二组探针;

测量所述第二组探针的电压;

测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压;

计算良好接触的探针数量。

11.根据权利要求10所述的测试半导体器件的方法,其中:

所提供的通过所述第二组探针的所述电流是单一个探针所能承受的最大电流或是所述单一个探针所能承受的最大电流的数倍至数十倍。

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