[发明专利]一种3D封装结构及其制作方法在审
| 申请号: | 201910830776.9 | 申请日: | 2019-09-02 |
| 公开(公告)号: | CN110739292A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
| 发明(设计)人: | 李恒甫;曹立强 | 申请(专利权)人: | 上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李博洋 |
| 地址: | 200131 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电接触垫 绝缘隔离层 电连接 导电结构 保形 塑封层 绝缘 再分布层 电互连 上表面 芯片 导电通孔 依次层叠 制作 | ||
1.一种3D封装结构,其特征在于,包括:
电互连结构,包括自下而上依次层叠设置且电连接的第一再分布层、多个导电通孔、第二再分布层以及多个第一电接触垫及第二电接触垫;
绝缘隔离层,位于所述电互连结构上,所述绝缘隔离层中设置多个保形导电结构,至少一部分所述保形导电结构位于所述绝缘隔离层的上表面上,至少另一部分所述保形导电结构与所述第一电接触垫电连接;
第一芯片,设置在所述绝缘隔离层中,与所述第二电接触垫电连接;
绝缘塑封层,位于所述绝缘隔离层上,所述绝缘塑封层中设置多个第三电接触垫,多个所述第三电接触垫与位于所述绝缘隔离层的上表面上的保形导电结构电连接;
第二芯片,设置在所述绝缘塑封层中,与所述第三电接触垫电连接。
2.根据权利要求1所述的3D封装结构,其特征在于,还包括:
第一密封材料层,所述第一再分布层及多个导电通孔设置于所述第一密封材料层中,多个导电通孔的上表面与所述第一密封材料层的上表面齐平,所述第一再分布层的下表面与所述第一密封材料层的下表面齐平;
第二密封材料层,所述第二再分布层、多个第一电接触垫及第二电接触垫设置于所述第二密封材料层中,所述第一电接触垫及第二电接触垫的上表面与所述第二密封材料层的上表面齐平。
3.根据权利要求1所述的3D封装结构,其特征在于,还包括:
多个焊球,位于所述第一再分布层的下表面,与所述第一再分布层电连接。
4.根据权利要求1所述的3D封装结构,其特征在于,
所述绝缘隔离层的组成材料为酚醛树脂或环氧类树脂。
5.根据权利要求1所述的3D封装结构,其特征在于,
所述绝缘塑封层的组成材料为酚醛树脂或环氧类树脂。
6.根据权利要求1所述的3D封装结构,其特征在于,
所述第一再分布层、第二再分布层、导电通孔、第一电接触垫、第二电接触垫和第三电接触垫的材料为铜、钛、钨、铝、镍、锡中的任意一种。
7.一种3D封装结构的制作方法,其特征在于,包括:
在载体上方形成电互连结构,其中,所述电互连结构包括自下而上依次层叠设置且电连接的第一再分布层、多个导电通孔、第二再分布层以及多个第一电接触垫及第二电接触垫;
将第一芯片放置在至少一个所述第二电接触垫上;
在所述电互连结构上方形成绝缘隔离层,所述绝缘隔离层包围所述第一芯片;
图案化所述绝缘隔离层形成穿透所述绝缘隔离层的多个第一通孔;
分别填充多个所述第一通孔形成多个保形导电结构,其中,至少一部分所述保形导电结构位于所述绝缘隔离层的上表面上,至少另一部分所述保形导电结构与所述第一电接触垫电连接;
在位于所述绝缘隔离层的上表面上的保形导电结构的上表面放置多个第三电接触垫;
将第二芯片放置在至少一个所述第三电接触垫上;
在所述绝缘隔离层上方形成绝缘塑封层,所述绝缘塑封层包围所述第三电接触垫和所述第二芯片。
8.根据权利要求7所述的3D封装结构的制作方法,其特征在于,所述在载体上方形成电互连结构,包括:
在载体上方形成第一再分布层;
在载体上方形成第一密封材料层,所述第一密封材料层包围所述第一再分布层;
图案化所述第一密封材料层形成暴露至少部分所述第一再分布层上表面的多个第二通孔;
分别填充多个所述第二通孔形成多个导电通孔;
在多个所述导电通孔上方形成第二再分布层;
在第二再分布层上放置多个第一电接触垫及多个第二电接触垫;
在第一密封材料层上方形成第二密封材料层,所述第二密封材料层包围所述第二再分布层、多个所述第一电接触垫及第二电接触垫,其中多个所述第一电接触垫及第二电接触垫的上表面与所述第二密封材料层的上表面齐平。
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