[发明专利]SiC单晶制造装置

权利要求书

1.一种SiC单晶制造装置，其特征在于，具备晶体生长用容器、隔热材料、加热器和温度测定器，

所述晶体生长用容器具有用于收纳SiC原料的原料收纳部和设置有用于支持籽晶的籽晶支持部的盖部，

所述隔热材料覆盖所述晶体生长用容器、并具有贯穿孔，

所述加热器对所述晶体生长用容器进行加热，

所述温度测定器经由所述贯穿孔测定所述晶体生长用容器的温度，

对于所述隔热材料的所述贯穿孔的内壁面，利用包含耐热性金属碳化物或耐热性金属氮化物的被覆材料进行被覆。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶制造装置，

所述耐热性金属碳化物或耐热性金属氮化物是选自钽、钼、铪、铌、钛、锆、钨、钒中的至少一种金属的碳化物或氮化物。

3.根据权利要求2所述的SiC单晶制造装置，其特征在于，

对于所述隔热材料的所述贯穿孔的内壁面，利用由所述耐热性金属碳化物或耐热性金属氮化物构成的被覆材料进行被覆。

4.根据权利要求1所述的SiC单晶制造装置，

所述被覆材料的厚度为0.01mm以上且5mm以下。

5.根据权利要求1所述的SiC单晶制造装置，

所述隔热材料具有顶部，所述顶部覆盖所述晶体生长用容器的所述盖部、且具有所述贯穿孔，

对于所述顶部的内侧的面，利用包含耐热性金属碳化物或耐热性金属氮化物的被覆材料进行被覆。

6.根据权利要求5所述的SiC单晶制造装置，

对于所述顶部的外侧的面，利用包含耐热性金属碳化物或耐热性金属氮化物的被覆材料进行被覆。

7.根据权利要求1所述的SiC单晶制造装置，

具有2个以上所述贯穿孔。

8.根据权利要求1所述的SiC单晶制造装置，

在俯视时，所述贯穿孔的位置配置在与所述籽晶支持部重叠的位置。

9.根据权利要求1所述的SiC单晶制造装置，

所述盖部从所述贯穿孔露出。

10.根据权利要求1所述的SiC单晶制造装置，其特征在于，

所述被覆材料由碳化钽构成。