[发明专利]一种改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置与方法

权利要求书

1.一种改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置，其特征在于：所述大尺寸晶片腐蚀装置包括喷液系统，所述喷液系统包括输送管、喷液头和喷液头旋转架，所述输送管由外管和多根内管组成，前半部分为软管结构，内管之间相互独立，所述喷液头连接腐蚀液输送管，所述喷液头出口处装有出液垫圈，所述出液垫圈正面为多孔状结构，所述喷液头旋转架固定在腐蚀腔顶部，喷液头固定在旋转架上，可以三百六十度旋转。

2.根据权利要求1所述的改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置，其特征在于：所述喷液系统包括输送管、喷液头和喷液头旋转架。

3.根据权利要求1所述的改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置，其特征在于：所述输送管由外管和多根内管组成，其材质为聚四氟乙烯类耐腐蚀材料。

4.根据权利要求1所述的改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置，其特征在于：所述输送管前半部分为软管结构，内管之间相互独立。

5.根据权利要求1所述的改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置，其特征在于：所述喷液头连接腐蚀液输送管，所述喷液头出口处装有出液垫圈。

6.根据权利要求1所述的改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置，其特征在于：所述出液垫圈正面为多孔状结构，所述出液垫圈孔形包含但不限于六边形、长方形、正方形、扁圆口形、圆形、椭圆形、环形。

7.根据权利要求1所述的改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置，其特征在于：所述喷液头旋转架固定在腐蚀腔顶部，喷液头固定在旋转架上，可以三百六十度旋转。

8.一种改善大尺寸晶片腐蚀均匀性的方法，其特征在于：包括下述步骤：步骤一晶片旋转底座放好待腐蚀晶片；步骤二设置好腐蚀液喷液时间，设置喷液头转度，设置晶片旋转速度；步骤三开始晶片腐蚀，随着晶片的旋转而迅速布满晶片表面；步骤四设定时间运行结束，自动关闭步骤二所设参量开关，完成一种腐蚀液腐蚀过程。

9.根据权利要求8所述的改善大尺寸晶片腐蚀均匀性的方法，其特征在于：所述步骤一中晶片固定方式为四点、六点或八点卡口式。