[发明专利]一种HgSe纳米晶的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910807560.0 申请日: 2019-08-29
公开(公告)号: CN110482497B 公开(公告)日: 2022-11-18
发明(设计)人: 龚兴厚;吴首昂;廖晴雨;王博成;胡涛;吴崇刚 申请(专利权)人: 湖北工业大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;B82Y40/00
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 兰岚
地址: 430068 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 hgse 纳米 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种HgSe纳米晶的制备方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:

(1)将硒粉加入到三正辛基膦中,室温磁力搅拌溶解,其中硒粉用量为0.05g~0.1g,三正辛基膦的用量为0.5ml~1ml;

(2)将油酸注入到二价汞盐中,磁力搅拌溶解并对其进行油浴加热,80℃加热1h,其中油酸用量为5ml~40ml,二价汞盐为0.22g~0.44g;

(3)将步骤(1)硒粉的三正辛基膦溶液加入步骤(2)汞盐溶液中,在20~110℃反应直至产物变成深黑色,加入20ml去离子水,在N2氛围中保温反应2h;

(4)将步骤(3)的反应溶液转入离心管中,加入丙酮沉淀,在离心机中高速离心5min,得到黑色粉末状产物分散在有机溶剂中,即制得HgSe纳米晶。

2.如权利要求1所述的一种HgSe纳米晶的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中二价汞盐包括但不限于醋酸汞、氯化汞。

3.如权利要求1所述的一种HgSe纳米晶的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中有机溶剂包括但不限于四氯乙烯、正辛烷、氯仿。

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