[发明专利]一种半导体功率器件及制备方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括衬底、形成于所述衬底内的结构层、形成于所述衬底一侧表面的金属连接层；其中：

所述衬底包括沿所述衬底厚度方向排列的P型层和位于所述P型层背离所述金属连接层一侧的N型层以形成P-N结，所述衬底形成有开口位于所述P型层背离所述N型层一侧表面的电阻沟槽；

所述金属连接层包括测温电阻引出端；

所述结构层包括测温电阻，所述测温电阻位于所述电阻沟槽内，所述测温电阻朝向所述金属连接层的一端与所述测温电阻引出端连接、且远离所述金属连接层的一端伸入至所述N型层内，且所述测温电阻与所述P型层和所述N型层之间绝缘。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述测温电阻与所述P型层以及N型层之间通过绝缘介质层隔离。

3.根据权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述金属连接层还包括源极，所述源极与所述测温电阻之间通过绝缘介质层隔离。

4.根据权利要求3所述的半导体功率器件，其特征在于，所述衬底还设有开口位于所述P型层背离所述N型层一侧表面的栅极沟槽；其中：

所述金属连接层还包括栅极金属；

所述结构层还包括多晶硅栅极和栅极引出端，所述多晶硅栅极位于所述栅极沟槽内且与所述栅极引出端连接，所述多晶硅栅极远离所述金属连接层的一端伸入至N型层内，所述栅极引出端与所述栅极金属连接，所述源极与所述栅极引出端、所述多晶硅栅极之间通过绝缘介质层隔离。

5.根据权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述衬底与所述栅极引出端相对的部位形成有沟槽，所述栅极引出端形成于所述沟槽内。

6.根据权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，所述P型层中位于所述栅极沟槽和所述电阻沟槽的开口处的部位均具有N型发射极。

7.根据权利要求2或3所述的半导体功率器件，其特征在于，所述绝缘介质层为二氧化硅介质层。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的半导体功率器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上通过构图工艺形成沟槽结构，所述沟槽结构包括电阻沟槽，其中，所述衬底包括沿所述衬底厚度方向排列的P型层和位于所述P型层背离所述金属连接层一侧的N型层以形成P-N结，所述电阻沟槽的开口位于所述P型层背离所述N型层一侧表面；

在衬底上形成结构层，其中所述结构层包括测温电阻，所述测温电阻位于所述电阻沟槽内，所述测温电阻远离所述金属连接层的一端伸入至N型层内，且所述测温电阻与所述P型层和N型层之间绝缘；

在所述衬底上形成金属连接层，并通过构图工艺形成金属连接层的图案，所述金属连接层的图案中包括测温电阻引出端，所述测温电阻朝向所述金属连接层的一端与所述测温电阻引出端连接。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成的沟槽结构还包括栅极沟槽；

在衬底上形成的结构层还包括多晶硅栅极以及与所述多晶硅栅极连接的栅极引出端；

所述金属连接层还包括源极和栅极金属，所述源极与所述测温电阻之间通过绝缘介质层隔离，所述栅极引出端与所述栅极金属连接。