[发明专利]一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器及其制备方法在审
| 申请号: | 201910803577.9 | 申请日: | 2019-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN110492001A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
| 发明(设计)人: | 于军胜;韩于;高林;刘德胜 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戴立亮<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子传输层 光活性层 加热工艺 转台 旋涂 有机光电探测器 电子给体材料 电子受体材料 光电探测器 活性层表面 空穴传输层 导电阴极 金属阳极 提升器件 依次设置 粗糙度 活性层 加热片 冷气流 旋涂仪 衬底 成膜 混配 制备 薄膜 中和 优化 生产 | ||
1.一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器,包括光活性层,其特征在于,所述光活性层由电子给体材料和电子受体材料混配后经旋涂加热工艺制成。
2.根据权利要求1所述的一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器,其特征在于,所述电子给体材料为P3HT,电子受体材料为IEICO-4F。
3.根据权利要求2所述的一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器,其特征在于,所述P3HT和IEICO-4F混合溶液的浓度为30mg/mL,P3HT和IEICO-4F的质量比为1:1。
4.根据权利要求1所述的一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器,其特征在于,所述光活性层的厚度为50~300nm。
5.根据权利要求1~4任一项所述的一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器,其特征在于,所述的光电探测器包括从下到上依次设置的衬底,导电阴极,电子传输层,光活性层,空穴传输层和金属阳极。
6.根据权利要求5所述的一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器,其特征在于,所述衬底采用透明聚合物材料制得,所述透明聚合物材料采用聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂和聚丙烯酸的一种或多种;所述导电阴极的材料为ITO;所述电子传输层材料为ZnO溶胶凝胶溶液,厚度为30nm;所述空穴传输层材料为MoO3,厚度为15nm;所述金属阳极材料为Ag、Al和Au中的一种或多种,厚度为100nm。
7.根据权利要求6所述的一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器,其特征在于,所述ZnO溶胶凝胶溶液由醋酸锌和乙醇胺组成,所述醋酸锌的重量占60%~80%,余量为乙醇胺。
8.根据权利要求1~7任一项所述的一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器的制备方法,其特征在于,包括以下制备步骤:
(1)对由衬底和导电阴极组成的基板进行清洗,清洗后用氮气吹干;
(2)将配置好的ZnO混合溶液旋涂至导电阴极表面,并将旋涂后的基板进行热退火处理,热退火的温度为150℃,时间为15min,得到电子传输层;
(3)在电子传输层上旋涂由电子给体材料和电子受体材料组成的共混溶液,同时旋涂过程中进行加热,制得光活性层;
(4)在真空度为3×103Pa条件下,在光活性层表面蒸镀MoO3,制备得到空穴传输层;
(5)在空穴传输层上蒸镀金属阳极,之后进行封装得到光电探测器。
9.根据权利要求8所述的一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中的加热方式为:在旋涂仪的转台周围放置一个半径为5cm的圆柱型加热片,使转台处于圆柱中心位置,在旋涂的过程中加热,使旋涂的活性层在热源的影响下能够均匀,规则地附着在电子传输层上。
10.根据权利要求8所述的一种基于旋涂加热工艺的有机光电探测器的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中的加热温度控制在20℃~55℃。
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