[发明专利]半导体封装件

说明书

本发明可提供一种半导体封装件，包含：第一器件层，包含第一半导体器件、第一覆盖绝缘层以及穿过第一器件层的至少一部分的第一贯穿电极；第二器件层，包含第二半导体器件、第二覆盖绝缘层以及穿过第二器件层的至少一部分的第二贯穿电极，第二半导体器件分别与第一半导体器件垂直交叠，第二覆盖绝缘层与第一覆盖绝缘层接触；第三器件层，包含上部半导体芯片，所述上部半导体芯片与第一半导体器件中的至少两个以及第二半导体器件中的至少两个二者都垂直交叠；以及器件接合焊盘，穿过第一覆盖绝缘层及第二覆盖绝缘层，器件接合焊盘将第一贯穿电极及第二贯穿电极电性连接到上部半导体芯片。

相关申请的交叉参考

本申请主张在2018年9月3日于韩国知识产权局提交的韩国专利申请第 10-2018-0104702号的优先权，所述申请的公开内容以全文引用的方式并入本 文中。

技术领域

本发明概念涉及半导体封装件，且更具体地涉及包含多个半导体芯片的 半导体封装件。

背景技术

随着电子行业的发展和用户需求的增长，电子器件被制造成具有更紧凑 的设计，更多功能和/或更高的存储容量。因此，需要包含两种或大于两种类 型的半导体芯片的半导体封装件，且印刷电路板(printed circuit board；PCB) 或中介层可用于不同类型的半导体芯片之间的电性连接。然而，在使用PCB 时难以实现精细节距，而在使用中介层时难以避免制造成本增加。

发明内容

至少一或多个本发明概念提供包含多个半导体芯片的半导体封装件，所 述半导体芯片具有相对较小的外观尺寸(small form factor)、相对精细的节距 和/或相对较低的成本。

根据实例实施例，一种半导体封装件包含：第一器件层，包含多个第一 半导体器件、第一覆盖绝缘层以及穿过所述第一器件层的至少一部分的多个 第一贯穿电极；第二器件层，包含多个第二半导体器件、第二覆盖绝缘层以 及穿过所述第二器件层的至少一部分的多个第二贯穿电极，多个第二半导体 器件分别与多个第一半导体器件垂直交叠，第二覆盖绝缘层与第一覆盖绝缘 层接触；第三器件层，包含上部半导体芯片，所述上部半导体芯片与多个第 一半导体器件中的至少两个垂直交叠且与多个第二半导体器件中的至少两个垂直交叠；以及多个器件接合焊盘，穿过第一覆盖绝缘层和第二覆盖绝缘层， 所述多个器件接合焊盘将多个第一贯穿电极和多个第二贯穿电极电性连接到 上部半导体芯片。

根据实例实施例，一种半导体封装件包含第一器件层、第二器件层、第 三器件层以及多个器件接合焊盘。第一器件层可包含：(1)第一半导体衬底； (2)多个第一贯穿电极，位于多个第一半导体芯片区域中且穿过第一半导体 衬底；以及(3)第一覆盖绝缘层，覆盖第一半导体衬底的有源表面。第一半 导体衬底可具有有源表面，且可包含一或多个第一划线和多个第一半导体芯 片区域，所述多个第一半导体芯片区域通过其间的一或多个第一划线区域彼 此间隔开，多个第一半导体芯片区域中的每一个在第一半导体衬底的有源表面上设置有第一半导体器件。第二器件层可包含：(1)第二半导体衬底；(2) 多个第二贯穿电极，位于多个第二半导体芯片区域中且穿过第二半导体衬底； 以及(3)第二绝缘层，覆盖第二半导体衬底的有源表面且与第一覆盖绝缘层 接触。第二半导体衬底具有有源表面，且可包含一或多个第二划线区域和多 个第二半导体芯片区域，所述多个第二半导体芯片区域通过其间的一或多个 第二划线区域彼此间隔开，多个第二半导体芯片区域中的每一个在第二半导 体衬底的有源表面上设置有第二半导体器件，所述第二半导体器件与第一半导体器件为相同类型。第三器件层可包含上部半导体芯片，所述上部半导体 芯片位于第二器件层上且电性连接到多个第二贯穿电极。多个器件接合焊盘 可穿过第一覆盖绝缘层和第二覆盖绝缘层且将第一器件层电性连接到第二器 件层。