[发明专利]半导体结构

说明书

一种半导体结构，包括一半导体单元、一个或多个接合结构、以及至少一个支撑件。该半导体单元包括至少一个通孔。该一个或多个接合结构设置在该半导体单元的上方并且电连接到该至少一个通孔。该至少一个支撑件设置在该半导体单元的上方。该至少一个支撑件是一金属块或一聚合物块，并且与该一个或多个接合结构间隔开。

相关申请的交叉引用

本申请主张享有于2018年12月19日申请的美国临时申请案第62/782,054号及于2019年03月28日申请的美国正式申请案第16/367,973号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本申请涉及关于一种半导体结构，特别涉及具有至少一个支撑件的半导体结构，其中该支撑件包括与接合结构间隔开的一金属块或一聚合物块。

背景技术

由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断地提高，集成电路技术持续地快速发展。集成密度的这种改进主要缘于最小特征尺寸持续地减少，而允许更多的元件整合到给定的集成芯片区域内。

半导体的集成元件占据半导体集成芯片表面附近的体积。尽管光刻技术显著地改进，使得二维(2D)集成电路的形成也产生显著改进，但是在二维中存在可实现密度的物理限制。其中一种限制是集成元件的最小尺寸。此外，当一个集成芯片上包含更多元件时，需要更复杂的设计。随着元件数量的增加，元件之间互连的数量和长度的显著地增加，又产生了进一步的限制。随着互连的数量和长度的增加，电路的RC延迟和功耗都会增加。

因此提出了三维集成电路(Three-dimensional integrated circuit)，其中芯片被堆叠，利用引线接合，覆晶接合和与或穿硅通孔(through-silicon via，TSV)将芯片堆叠在一起并且将芯片连接到封装基底。

以上关于“现有技术”的说明仅限于提供背景技术，并未承认上述“现有技术”提出了本发明的目地，故其不构成本发明的现有技术，且上述的“现有技术”的任何说明均不应作为本发明的任一部分。

发明内容

本发明提供一半导体结构，其包括：一半导体单元、一个或多个接合结构、以及至少一个支撑件。该半导体单元包括至少一个通孔。该一个或多个接合结构设置在该半导体单元的上方并且电连接到该至少一个通孔。该至少一个支撑件设置在该半导体单元的上方。该至少一个支撑件包括与该接合结构间隔开的一金属块或一聚合物块。

在一些实施例中，该接合结构包括设置在该半导体单元的一第一区域内的多个导电柱。

在一些实施例中，该支撑件包括设置在该半导体单元的一第二区域内的多个金属柱，其中该第二区域与该第一区域不同。

在一些实施例中，该第一区域是该半导体单元的一中心区域。

在一些实施例中，该第二区域是与该中心区域间隔开的该半导体单元的一外围区域。

本发明还提供一半导体结构，其包括：一半导体单元、一个或多个接合结构、以及至少一个支撑件。该接合结构包括设置在该半导体单元的一第一区域内的多个聚合物柱。该接合结构包括设置在该第一区域内的多个导电柱。

在一些实施例中，该聚合物柱与该导电柱间隔开。

在一些实施例中，该第一区域是该半导体单元的一中心区域。

本发明还提供一半导体结构，包括：一半导体单元、一个或多个接合结构、以及至少一个支撑件。该支撑件包括设置在该半导体单元内的该第一区域和该第二区域内的多个聚合物柱，该聚合物柱与该导电柱间隔开。

在一些实施例中，该第一区域是该半导体单元的一中心区域。

在一些实施例中，该第二区域是与该中心区域间隔开的该半导体单元的一外围区域。