[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一半导体单元，具有至少一个通孔；

一个或多个接合结构，设置在该半导体单元的上方并且电连接到该至少一个通孔；以及

至少一个支撑件，设置在该半导体单元的上方；

其中该至少一支撑件是一金属块或一聚合物块，并且与该一个或多个接合结构间隔开。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接合结构包括设置在该半导体单元的一第一区域内的多个导电。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该支撑件包括设置在该半导体单元的一第二区域内的多个金属柱，并且该第二区域与该第一区域不同。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该第一区域是该半导体单元的一中心区域。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第二区域是与该中心区域间隔开的该半导体单元的一外围区域。

6.如权利要求2所述的半导体结构，其中该接合结构包括设置在该第一区域内的多个聚合物柱。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该多个聚合物柱与该导电柱间隔开。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第一区域是该半导体单元的一中心区域。

9.如权利要求2所述的半导体结构，其中该支撑件包括设置在该半导体单元内的该第一区域和该第二区域内的多个聚合物柱，并且该多个聚合物柱与该导电柱间隔开。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该第一区域是该半导体单元的一中心区域。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其中该第二区域是与该中心区域间隔开的该半导体单元的一外围区域。

12.如权利要求1述的半导体结构，其中该半导体结构还接合到另一个半导体结构以形成一三维集成电路结构，其中该三维集成电路结构中的一个半导体结构被定义为一第一半导体结构，另一个半导体结构被定义为一第二半导体结构。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其中该第一半导体结构的该支撑件经配置以接合该第一半导体结构和该第二半导体结构。

14.如权利要求1所述的半导体结构，其中一第一导电垫接触该一个或多个接合结构的一底部，一第二导电垫接触该一个或多个接合结构的一顶部，其中介于该第一导电垫和该第二导电垫之间的该接合结构的每一个的一第一高度大于该多个支撑件的一第二高度。

15.如权利要求13所述的半导体结构，其中在该三维集成电路结构的一俯视图中，该第一半导体结构的该一个或多个接合结构，沿着一第一方向和沿着垂直于该第一方向的一第二方向延伸并且超出由该第一半导体结构的该多个支撑件所占据的区域。

16.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：排列在该多个支撑件和该半导体单元之间的一钝化层，其中该钝化层沿着该一个或多个接合结构的一侧壁排列。

17.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：排列在该多个支撑件和该半导体单元之间的一钝化层，其中该一个或多个接合结构分别包括一铜柱，并且该钝化层沿着该铜柱的一侧壁排列。

18.如权利要求12所述的半导体结构，还包括：一钝化层，该钝化层分隔该第一半导体结构的该多个支撑件与该半导体单元。

19.如权利要求13所述的半导体结构，其中该第一半导体结构的该多个支撑物包括一聚合物，该聚合物经配置以在该一个或多个接合结构的回流期间软化和熔化。