[发明专利]一种射频低噪声放大器集成电路

权利要求书

1.一种射频低噪声放大器集成电路，其特征在于，设有：电流镜模块，所述电流镜模块用于提供随温度稳定的偏置电压，使电路正常工作；跨导转化模块，所述跨导转化模块用于实现交流电压信号到交流电流信号的转化，产生电压到电流的跨导增益；输入匹配模块，所述输入匹配模块用于将所述跨导转化模块的阻抗变换成与天线共轭匹配的阻抗，以实现最大功率传输；增益峰化模块，所述增益峰化模块用于提高高频时信号通路到地的阻抗，从而提升交流信号的增益；单端转差分负载模块，所述单端转差分负载模块用于实现单端信号到差分信号的转化，提高所述信号的抗干扰能力；所述输入匹配模块与所述跨导转化模块电连接，所述输入匹配模块与所述电流镜模块电连接，所述跨导转化模块与所述单端转差分负载模块电连接，所述跨导转化模块与所述增益峰化模块电连接，所述单端转差分负载模块与所述增益峰化模块电连接，所述增益峰化模块与所述电流镜模块电连接；所述输入匹配模块设有第一电容、第一电感、第二电感，所述跨导转化模块设有第一MOS管、第二MOS管，所述增益峰化模块设有第三电感，所述单端转差分负载模块设有第四电感、第二电容、第三电容，所述电流镜模块设有第三MOS管、第一电阻、第二电阻；所述第四电感为抽头电感，所述抽头电感设有两个差模端口和一个共模端口，所述两个差模端口分别为第一端和第二端，所述共模端口为第三端。

2.根据权利要求1所述的射频低噪声放大器集成电路，其特征在于，所述第一电容的一端分别与所述第一电感的一端、所述第二电阻的一端连接，所述第一电感的另一端与所述第一MOS管的栅极相连，所述第二电感的一端与所述第一MOS管的源极相连，所述第二电感的另一端接地，所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极相连，所述第二MOS管的栅极与所述第三电感的一端相连，所述第二MOS管的漏极分别与所述第二电容的一端、所述第四电感的第一端相连，所述第三电感的另一端与电源电压连接，所述第四电感的第二端与所述第三电容的一端相连，所述第四电感的第三端、所述第二电容的另一端、所述第三电容的另一端均与所述电源电压连接，所述第一电阻的一端与所述电源电压连接，所述第三MOS管的漏极和所述第三MOS管的栅极相连后连接到所述第一电阻的另一端，所述第三MOS管的栅极和所述第二电阻的另一端相连。

3.根据权利要求2所述的射频低噪声放大器集成电路，其特征在于，所述低噪声放大器集成电路还设有输入端口、第一差分输出端口、第二差分输出端口，所述第一电容的另一端为所述低噪声放大器集成电路的输入端，所述第二MOS管的漏极为所述低噪声放大器集成电路的第一差分输出端口，所述第四电感的第二端作为所述低噪声放大器集成电路的第二差分输出端口。