[发明专利]一种建立晶圆背面图形数据库的方法有效
| 申请号: | 201910777051.8 | 申请日: | 2019-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN110473772B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
| 发明(设计)人: | 周健刚 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;G06F16/50 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 建立 背面 图形 数据库 方法 | ||
本发明提供一种建立晶圆背面图形数据库的方法,至少包括:提供裸晶圆,在晶圆的背面生长一层二氧化硅;将晶圆送入机台,使得该晶圆背面的二氧化硅接触机台内部的部件,并经过该机台的全部运行路径;对晶圆的背面进行扫描,得到机台部件的图形数据信息;将图形数据信息建立数据库,将生产线上出现的晶圆问题与所述数据库中的图形数据信息进行比对,得出有问题的机台。本发明通过在晶圆背面拓印机台的图形数据,能够快速安全的获取机台的运行状况,便于迅速查找有问题的机台,避免给晶圆带来进一步污染,提高产品的良率。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种建立晶圆背面图形数据库的方法。
背景技术
晶圆生产过程中,晶圆的背面在不断经过薄膜生长、湿法清洗以及和机台腔体、晶圆吸附盘等的接触后造成晶背损伤。在更高的技术平台往往工艺窗口也随之变小,在55nm的制程影响较小的背面状况更差,在28nm技术平台往往会造成很严重的晶面缺陷,并存在工艺机台背压报警,无法进行正常工作,导致晶圆报废;或者由于光刻工艺的缺陷和颗粒缺陷的来源导致产品的良率降低,以及晶背的宏观异常情况,影响正常出货。
因此,需要提出一种新的方法来解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种建立晶圆背面图形数据库的方法,用于解决现有技术中由于晶圆背面在晶圆的制造过程中受到污染导致晶圆报废、良率损失和影响正常出货的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种建立晶圆背面图形数据库的方法,该方法至少包括以下步骤:步骤一、提供裸晶圆,在所述晶圆的背面生长一层二氧化硅;步骤二、将所述晶圆送入机台,使得该晶圆背面的所述二氧化硅接触机台内部的部件,并经过该机台的全部运行路径;步骤三、对所述晶圆的背面进行扫描,得到机台部件的图形数据信息;步骤四、将所述图形数据信息建立数据库,将生产线上出现的晶圆问题与所述数据库中的图形数据信息进行比对,得出有问题的机台。
优选地,步骤一中在所述晶圆背面生长的二氧化硅的厚度为500埃。
优选地,步骤二中将所述晶圆送入的机台为测试机台。
优选地,步骤二中所述晶圆在所述测试机台中经过的全部运行路径包括:机械手臂抓取晶圆、机台对准量测、主量测。
优选地,步骤三中得到机台部件的图形数据信息为晶圆背面与机台部件接触后拓印在二氧化硅上的机台部件的尺寸。
优选地,步骤三中得到机台部件的图形数据信息至少包括:机械手臂的尺寸、晶圆对准尺寸。
优选地,所述机械手臂的尺寸包括机械手臂的长度和宽度;所述晶圆对准尺寸包括对准的半径大小,纹路以及同心圆的个数以及主量测的接触脚的个数。
优选地,步骤二中将所述晶圆送入的机台为工艺机台。
优选地,步骤二中所述晶圆在所述工艺机台中经过的全部运行路径包括:对准、缓冲腔、真空腔、工艺腔、冷却腔、清洗腔、干燥腔、刻蚀腔。
如上所述,本发明的建立晶圆背面图形数据库的方法,具有以下有益效果:本发明通过在晶圆背面拓印机台的图形数据,能够快速安全的获取机台的运行状况,便于迅速查找有问题的机台,避免给晶圆带来进一步污染,提高产品的良率。
附图说明
图1显示为本发明的建立晶圆背面图形数据库的方法的流程示意图;
图2显示为本发明中在晶圆背面生长二氧化硅的示意图;
图3显示为本发明中测试机台中机械手臂的示意图;
图4显示为本发明中测试机台中主量测台的示意图;
图5显示为本发明中对晶圆背面扫描获得的图形数据信息的示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910777051.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:直接转换X射线探测材料的制备方法
- 下一篇:晶圆清洗方法及晶圆清洗设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





