[发明专利]一种建立晶圆背面图形数据库的方法有效
| 申请号: | 201910777051.8 | 申请日: | 2019-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN110473772B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
| 发明(设计)人: | 周健刚 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;G06F16/50 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 建立 背面 图形 数据库 方法 | ||
1.一种建立晶圆背面图形数据库的方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:
步骤一、提供裸晶圆,在所述晶圆的背面生长一层二氧化硅;
步骤二、将所述晶圆送入机台,使得该晶圆背面的所述二氧化硅接触机台内部的部件,并经过该机台的全部运行路径;
步骤三、对所述晶圆的背面进行扫描,得到机台部件的图形数据信息;所述机台部件的图形数据信息为晶圆背面与机台部件接触后拓印在二氧化硅上的机台部件的尺寸;
步骤四、将所述图形数据信息建立数据库,将生产线上出现的晶圆问题与所述数据库中的图形数据信息进行比对,得出有问题的机台。
2.根据权利要求1所述的建立晶圆背面图形数据库的方法,其特征在于:步骤一中在所述晶圆背面生长的二氧化硅的厚度为500埃。
3.根据权利要求2所述的建立晶圆背面图形数据库的方法,其特征在于:步骤二中将所述晶圆送入的机台为测试机台。
4.根据权利要求3所述的建立晶圆背面图形数据库的方法,其特征在于:步骤二中所述晶圆在所述测试机台中经过的全部运行路径包括:机械手臂抓取晶圆、机台对准量测、主量测。
5.根据权利要求4所述的建立晶圆背面图形数据库的方法,其特征在于:步骤三中得到机台部件的图形数据信息至少包括:机械手臂的尺寸、晶圆对准尺寸。
6.根据权利要求5所述的建立晶圆背面图形数据库的方法,其特征在于:所述机械手臂的尺寸包括机械手臂的长度和宽度;所述晶圆对准尺寸包括对准的半径大小,纹路以及同心圆的个数以及主量测的接触脚的个数。
7.根据权利要求2所述的建立晶圆背面图形数据库的方法,其特征在于:步骤二中将所述晶圆送入的机台为工艺机台。
8.根据权利要求7所述的建立晶圆背面图形数据库的方法,其特征在于:步骤二中所述晶圆在所述工艺机台中经过的全部运行路径包括:对准、缓冲腔、真空腔、工艺腔、冷却腔、清洗腔、干燥腔、刻蚀腔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910777051.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:直接转换X射线探测材料的制备方法
- 下一篇:晶圆清洗方法及晶圆清洗设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





