[发明专利]一种钼硅硼复合颗粒粉体的制备方法

权利要求书

1.一种钼硅硼复合颗粒粉体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：取表面无杂质和氧吸附的球形钼、硅、硼颗粒粉体，分别进行球磨细化，筛选出尺寸符合要求的颗粒粉体；

步骤2：采用加热混合炉进行钼颗粒粉体表面镀硼处理，所述加热混合炉包括控制设备和真空腔；所述真空腔的内部上方具有振动加热台，且上部振动加热台底面上有与所承载颗粒粉体粒径对应的筛孔；在真空腔的内部下方也具有振动加热台；在上部振动加热台与下部振动加热台之间具有加热腔体，从上部振动加热台筛孔落下的颗粒粉体通过加热腔体后能够落入下部振动加热台内；所述控制设备能够分别控制上部振动加热台的振动频率、振幅、加热温度，下部振动加热台的振动频率、振幅、加热温度，以及加热腔体的加热温度；

步骤2.1：将步骤1得到的球形钼颗粒粉体放入上部振动加热台，设定加热温度为2100-2600℃；将步骤1得到的球形硼颗粒粉体放入下部振动加热台，设定加热温度为1500-2000℃；控制加热腔体的温度与上部振动加热台的加热目标温度一致，使球形钼颗粒粉体下落过程中温度保持在设定的加热温度；

步骤2.2：当球形钼颗粒粉体、球形硼颗粒粉体的温度达到设定温度后，控制上部振动加热台和下部振动加热台振动；上部振动加热台振动使得加热后的球形钼颗粒粉体从上部振动加热台底面筛孔下落至下部振动加热台中，球形钼颗粒粉体使周围硼颗粒粉体熔化，凝结，在球形钼颗粒粉体表面形成硼层；下部振动加热台振动使得形成的钼硼颗粒粉体沉降入下部振动加热台底部；

步骤2.3：从下部振动加热台中筛选出粒径符合要求的钼硼颗粒粉体；

步骤3：采用加热混合炉进行钼硼颗粒粉体表面镀硅处理：

步骤3.1：将步骤2得到的钼硼颗粒粉体放入上部振动加热台，设定加热温度为1500-2000℃；将步骤1得到的球形硅颗粒粉体放入下部振动加热台，设定加热温度为1000-1400℃；控制加热腔体的温度与上部振动加热台的加热目标温度一致，使钼硼颗粒粉体下落过程中温度保持在设定的加热温度；

步骤3.2：当钼硼颗粒粉体、球形硅颗粒粉体的温度达到设定温度后，控制上部振动加热台和下部振动加热台振动；上部振动加热台振动使得加热后的钼硼颗粒粉体从上部振动加热台底面筛孔下落至下部振动加热台中，钼硼颗粒粉体使周围硅颗粒粉体熔化，凝结，在钼硼颗粒粉体表面形成硅层；下部振动加热台振动使得形成的钼硅硼颗粒粉体沉降入下部振动加热台底部；

步骤3.3：从下部振动加热台中筛选出粒径符合要求的钼硅硼颗粒粉体；

步骤4：将步骤3得到的钼硅硼颗粒粉体放入球磨罐中，只加入无水乙醇，并输入保护气体，进行球磨，提高球形度并去除表面疏松层；将球磨后得到的颗粒粉体进行筛选，获取粒径符合要求的钼硅硼颗粒粉体。

2.根据权利要求1所述一种钼硅硼复合颗粒粉体的制备方法，其特征在于：步骤1中筛选得到的钼、硅、硼颗粒粉体的尺寸要求为：钼颗粒粉体的粒径为30-50μm，硅颗粒粉体的粒径为0.5-1μm，硼颗粒粉体的粒径为0.5-1μm。

3.根据权利要求2所述一种钼硅硼复合颗粒粉体的制备方法，其特征在于：步骤2.3中的钼硼颗粒粉体粒径要求为50-70μm。

4.根据权利要求3所述一种钼硅硼复合颗粒粉体的制备方法，其特征在于：步骤3.3中的钼硅硼颗粒粉体粒径要求为70-100μm。

5.根据权利要求1所述一种钼硅硼复合颗粒粉体的制备方法，其特征在于：在设定的温度范围内，当设定的温度值越高，熔化并凝固在钼颗粒粉体表面的硼元素及硅元素越多，从而达到调整钼、硅、硼三种元素比例的目的。