[发明专利]一种平面二极管的加工工艺在审
| 申请号： | 201910774375.6 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110444477A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 游佩武;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面二极管 光刻 磷环 源区 扩散 二次氧化 使用寿命 一次氧化 源区边缘 金属化 磷扩散 引线孔 预沉积 高阻 环区 加工 | ||
一种平面二极管的加工工艺。涉及平面二极管，尤其涉及一种平面二极管的加工工艺。提供了一种方便加工，提高产品质量和使用寿命的平面二极管的加工工艺。本发明在工作中，包括以下步骤：初始氧化、有源区光刻、有源区预沉积、初始氧化、高阻N+环光刻、环区磷扩散、刻引线孔和金属化，两次初始氧化中，一次氧化是扩散base，二次氧化是扩散N+环；而且，在有源区边缘一周注入一个磷环，形成一圈高浓度高高阻磷环；提升产品的可靠性。
技术领域
本发明涉及平面二极管，尤其涉及一种平面二极管的加工工艺。
背景技术
目前，平面二极管产品普遍使用的扩散工艺仅进行一次基区扩散，二极管的可靠性差，导致产品品质下降。
随着半导体市场竞争越演越烈，拥有一流的测试技术，保证产品质量是每个半导体分立器件制造厂必备的利器，因此为了保证半导体分立器件使用的可靠性，研究一种高可靠性的二极管产品具有很重要的意义。
发明内容
本发明针对以上问题，提供了一种方便加工，提高产品质量和使用寿命的平面二极管的加工工艺。
本发明的技术方案为：包括以下步骤:
S1、初始氧化：在晶片表面生长一层致密氧化膜；
S2、有源区光刻：将有源区区域氧化膜暴露出来，其它区域用光阻剂保护，有源区氧化膜去除；
S3、有源区预沉积：使用BN扩散源扩散，在BASE区域预沉积P+；
S4、初始氧化：在晶片表面生长一层致密氧化膜；
S5、高阻N+环光刻：将N+环区域氧化膜暴露出来，其它区域用光阻剂保护，环区氧化膜去除；
S6、环区磷扩散：使用POCL3液态源扩散，在环区扩散N+；
S7、刻引线孔：引线孔的氧化膜去除；
S8、金属化：在晶片表面蒸镀TI/NI/AG层形成金属电极。
S1中，氧化膜的厚度为10000-15000埃。
S3中，预沉积温度1000-1200℃，沉积时间50-240min，气体流量N2：2-10LPM，O2：0.1-1LPM，扩散后面电阻0.2-1Ω/口。
S4中，氧化膜的厚度在15000-30000埃。
S6中，扩散温度1000-1200℃，沉积时间50-200min，气体流量N2：2-10LPM，O2：1-6LPM，小N2：1-5LPM，扩散后面电阻0.2-1.5Ω/口。
本发明在工作中，包括以下步骤：初始氧化、有源区光刻、有源区预沉积、初始氧化、高阻N+环光刻、环区磷扩散、刻引线孔和金属化，两次初始氧化中，一次氧化是扩散base，二次氧化是扩散N+环；而且，在有源区边缘一周注入一个磷环，形成一圈高浓度高高阻磷环；提升产品的可靠性。
附图说明
图1是本发明中步骤S1的示意图，
图2是本发明中步骤S2的示意图，
图3是本发明中步骤S3的示意图，
图4是本发明中步骤S4的示意图，
图5是本发明中步骤S5的示意图，
图6是本发明中步骤S6的示意图，
图7是本发明中步骤S7的示意图，
图8是本发明中步骤S8的示意图。
具体实施方式
本发明如图1-8所示，包括以下步骤:
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