[发明专利]一种叠层固态铝电解电容的含浸方法

说明书

本发明公开了一种叠层固态铝电解电容的含浸方法，属于铝电解电容器技术领域。该叠层固态铝电解电容的含浸方法包括以下步骤：首先，将化成处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸前处理剂后，再进行干燥处理；接着，将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸导电聚合物分散液后，再进行干燥处理；然后，将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸后处理剂后，再进行干燥处理，即可完成对铝箔的含浸聚合处理。本发明通过将铝箔采用多段含浸模式依次含浸前处理剂、导电聚合物分散液以及后处理剂，可以提高最终制得的叠层固态铝电解电容产品的稳定性和一致性，以及可以大大降低叠层固态铝电解电容产品的漏电流。

技术领域

本发明涉及铝电解电容器技术领域，具体是一种叠层固态铝电解电容的含浸方法。

背景技术

目前，叠层固态铝电解电容通常采用化学聚合的方法在铝箔上生成导电高分子，具体步骤是先将铝箔含浸单体溶液，干燥，再含浸氧化剂溶液，然后在特定的温湿度环境下进行聚合反应，并且将上述这个过程重复10-30次，以保证导电高分子形成的厚度及质量达到产品要求。

然而，目前的这种含浸聚合的方式，每片铝箔产品上的单体与氧化剂的配比非常难管控，其聚合反应对环境温湿度及其敏感，氧化剂对氧化皮膜具有微弱的溶解性容易造成产品漏电大，单体和氧化剂容易进入到氧化膜的裂纹和缺陷处生成导电高分子导致漏电大。另外，在后续的叠层工序中，因为热应力和机械应力的影响，脆性的导电高分子容易使得导电高分子和氧化膜破裂，导致产品漏电大甚至短路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种叠层固态铝电解电容的含浸方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种叠层固态铝电解电容的含浸方法，包括以下步骤：

（1）将化成处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸前处理剂后，再进行干燥处理；

（2）将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸导电聚合物分散液后，再进行干燥处理；

（3）将上述干燥处理后的铝箔重复0~20次步骤（2）中的步骤；

（4）将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸后处理剂后，再进行干燥处理；

所述的步骤（1）~（4）中，多段含浸模式的方法为：先以0.1~2mm/s的下降速度，使1/12~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中，并停留10~60s；接着，以0.1~2mm/s的下降速度，使5/12~7/12体积的铝箔浸入到含浸液中，并停留10~60s；然后，以0.1~2mm/s的下降速度，使2/3~5/6体积的铝箔浸入到含浸液中，并停留200~400s；再接着，以0.1~2mm/s的上升速度，使5/12~7/12体积的铝箔浸入到含浸液中，并停留10~60s；再然后，以0.1~2mm/s的上升速度，使1/12~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中，并停留10~60s后，再以0.1~2mm/s的上升速度使铝箔脱离含浸液的液面；所述的含浸液为前处理剂、导电聚合物分散液和后处理剂中的一种。

本发明实施例采用的一种优选方案，所述多段含浸模式的方法为：先以0.1~0.3mm/s的下降速度，使1/6~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中，并停留20~40s；接着，以0.1~0.3mm/s的下降速度，使5/12~1/2体积的铝箔浸入到含浸液中，并停留20~40s；然后，以0.1~0.3mm/s的下降速度，使2/3~3/4体积的铝箔浸入到含浸液中，并停留250~350s；再接着，以0.1~0.3mm/s的上升速度，使5/12~1/2体积的铝箔浸入到含浸液中，并停留20~40s；再然后，以0.1~0.3mm/s的上升速度，使1/6~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中，并停留20~40s后，再以0.1~0.3mm/s的上升速度使铝箔脱离含浸液的液面。